GAN041-650WSBQ

Nexperia
771-GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ

Tillverk:

Beskrivning:
GaN FET GAN041-650WSB/SOT429/TO-247

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om Nexperia GAN041-650WSBQ

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Nexperia
Produktkategori: GaN FET
RoHS-direktivet:  
Through Hole
SOT-429-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47.2 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.5 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
GaN
Märke: Nexperia
Konfiguration: Single
Falltid: 10 ns
Förpackning: Reel
Förpackning: Cut Tape
Produkttyp: GaN FETs
Stigtid: 10 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: Transistors
Del # Alias: 934661752127
Enhetens vikt: 123 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Datablad

Application Notes

PCN

Efterlevnadskoder
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Filippinerna
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

GaN FETs for Industrial Applications

Nexperia GaN FETs for Industrial Applications offer efficient power use and efficiencies in power conversion and control. For some applications, power conversion efficiency and power density are critical for market adoption. Prime examples include high-voltage communications and industrial infrastructure sectors. GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system costs.

GAN041-650WSB FET av galliumnitrid (GaN)

Nexperia   GAN041-650WSB Galliumnitrid (GaN) FET har en 650 V dräneringsspänning, 47,2 A dräneringsström och 41 m Ω maximal resistans. GAN041 levereras i en TO-247-kapsling och är en normalt avstängd enhet som kombinerar GaN HEMT H2-teknik för hög spänning och silikon MOSFET teknik med låg spänning. Kombinationen av dessa tekniker ger en överlägsen tillförlitlighet och prestanda. Nexperia   GAN041-650WSB GaN FET är perfekt för brygglösa totem-PFC, servomotordrivenheter och hård- och mjukväxlande omvandlare för industri och datakommunikatiom ström.

På lager: 175

Lager:
175 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
4 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
113,09 kr 113,09 kr
99,35 kr 993,50 kr
70,89 kr 7 089,00 kr
70,56 kr 35 280,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 30)
99,35 kr 2 980,50 kr

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.