CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

Resultat: 12
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Teknologi
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 5 018På lager
3 600Förväntad 2026-11-12
Klipp band
120,23 kr
68,14 kr
67,15 kr
66,49 kr
57,04 kr
Papprulle
57,04 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4 511På lager
Klipp band
36,82 kr
24,18 kr
16,92 kr
13,85 kr
13,30 kr
Papprulle
11,76 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 5 000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4 815På lager
Klipp band
27,15 kr
17,58 kr
12,09 kr
9,74 kr
Papprulle
7,73 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 5 000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4 699På lager
Klipp band
23,63 kr
15,17 kr
10,40 kr
8,28 kr
Papprulle
6,44 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 5 000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1 601På lager
1 800Förväntad 2027-02-04
Klipp band
104,08 kr
59,57 kr
56,49 kr
53,30 kr
46,16 kr
Papprulle
45,72 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 812På lager
Klipp band
81,00 kr
44,07 kr
40,44 kr
39,78 kr
34,73 kr
Papprulle
33,74 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES Ledtid 26 Veckor
Klipp band
67,92 kr
40,22 kr
34,73 kr
31,87 kr
27,37 kr
Papprulle
27,37 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1 218På lager
Klipp band
44,62 kr
29,45 kr
20,88 kr
17,91 kr
Papprulle
15,17 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 582På lager
Klipp band
125,95 kr
84,51 kr
78,25 kr
67,81 kr
Papprulle
59,13 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 457På lager
Klipp band
104,30 kr
58,03 kr
55,39 kr
47,04 kr
Papprulle
47,04 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 2 028På lager
Klipp band
83,41 kr
45,50 kr
40,77 kr
Papprulle
36,05 kr
35,17 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 583På lager
Klipp band
69,68 kr
37,37 kr
34,18 kr
27,58 kr
Papprulle
27,58 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN