GaN FET HV GAN DISCRETES
IGLR65R140D2XUMA1
Infineon Technologies
1:
37,69 kr
4 511 På lager
Mouser artikelnummer
726-IGLR65R140D2XUMA
Infineon Technologies
GaN FET HV GAN DISCRETES
4 511 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
5 000
Detaljer
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
13 A
170 mOhms
- 10 V
1.6 V
2.6 nC
- 55 C
+ 150 C
46 W
Enhancement
GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES
IGLR65R200D2XUMA1
Infineon Technologies
1:
27,79 kr
4 815 På lager
Mouser artikelnummer
726-IGLR65R200D2XUMA
Infineon Technologies
GaN FET HV GAN DISCRETES
4 815 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
5 000
Detaljer
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
9.2 A
240 mOhms
- 10 V
1.6 V
1.8 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES
IGLR65R270D2XUMA1
Infineon Technologies
1:
24,19 kr
4 699 På lager
Mouser artikelnummer
726-IGLR65R270D2XUMA
Infineon Technologies
GaN FET HV GAN DISCRETES
4 699 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
5 000
Detaljer
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
7.2 A
330 mOhms
- 10 V
1.6 V
1.4 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES
IGLT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1:
103,50 kr
1 559 På lager
1 800 Förväntad 2026-12-17
Mouser artikelnummer
726-IGLT65R035D2ATMA
Infineon Technologies
GaN FET HV GAN DISCRETES
1 559 På lager
1 800 Förväntad 2026-12-17
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 800
Detaljer
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
42 mOhms
- 10 V
1.6 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES
IGLT65R045D2ATMA1
Infineon Technologies
1:
76,50 kr
798 På lager
1 800 Förväntad 2026-11-19
Mouser artikelnummer
726-IGLT65R045D2ATMA
Infineon Technologies
GaN FET HV GAN DISCRETES
798 På lager
1 800 Förväntad 2026-11-19
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 800
Detaljer
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
38 A
54 mOhms
- 10 V
1.6 V
8.4 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES
IGLT65R110D2ATMA1
Infineon Technologies
1:
48,26 kr
1 183 På lager
Mouser artikelnummer
726-IGLT65R110D2ATMA
Infineon Technologies
GaN FET HV GAN DISCRETES
1 183 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 800
Detaljer
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
15 A
140 mOhms
- 10 V
1.6 V
3.4 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES
IGOT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1:
129,83 kr
556 På lager
800 Förväntad 2026-11-19
Mouser artikelnummer
726-IGOT65R025D2AUMA
Infineon Technologies
GaN FET HV GAN DISCRETES
556 På lager
800 Förväntad 2026-11-19
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
800
Detaljer
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
61 A
30 mOhms
- 10 V
1.6 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
181 W
Enhancement
GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES
IGOT65R035D2AUMA1
Infineon Technologies
1:
106,76 kr
457 På lager
800 Förväntad 2026-11-30
Mouser artikelnummer
726-IGOT65R035D2AUMA
Infineon Technologies
GaN FET HV GAN DISCRETES
457 På lager
800 Förväntad 2026-11-30
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
800
Detaljer
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
42 mOhms
- 10 V
1.6 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
132 W
Enhancement
GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES
IGOT65R045D2AUMA1
Infineon Technologies
1:
85,39 kr
1 228 På lager
Mouser artikelnummer
726-IGOT65R045D2AUMA
Infineon Technologies
GaN FET HV GAN DISCRETES
1 228 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
800
Detaljer
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
54 mOhms
- 10 V
1.6 V
8.4 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES
IGOT65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1:
71,33 kr
583 På lager
Mouser artikelnummer
726-IGOT65R055D2AUMA
Infineon Technologies
GaN FET HV GAN DISCRETES
583 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
800
Detaljer
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
66 mOhms
- 10 V
1.6 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES
IGLT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1:
123,41 kr
23 319 På beställningen
Mouser artikelnummer
726-IGLT65R025D2AUMA
Infineon Technologies
GaN FET HV GAN DISCRETES
23 319 På beställningen
Visa datum
På beställningen:
3 519 Förväntad 2026-12-31
3 600 Förväntad 2027-09-16
Fabrikens ledtid:
18 Veckor
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 800
Detaljer
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
67 A
30 mOhms
- 10 V
1.6 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
219 W
Enhancement
GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES
IGLT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
1:
70,76 kr
5 400 På beställningen
Mouser artikelnummer
726-IGLT65R055D2ATMA
Infineon Technologies
GaN FET HV GAN DISCRETES
5 400 På beställningen
Visa datum
På beställningen:
1 800 Förväntad 2027-04-23
3 600 Förväntad 2027-06-24
Fabrikens ledtid:
26 Veckor
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 800
Detaljer
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
66 mOhms
- 10 V
1.6 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
GaN