GaN FET – Mouser Sverige

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 12

Tillämpade filter:

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Qg - Gate-laddning

Minsta drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Kanalläge

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Artikelnummer

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLR65R140D2XUMA1
Infineon Technologies
1: 35,51 kr
4 511På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
IGLR65R140D2XUMA1

Mouser artikelnummer
726-IGLR65R140D2XUMA

Ny produkt

Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Läs mer

Datablad

4 511På lager

Klipp band

35,51 kr

23,32 kr

16,32 kr

13,36 kr

12,83 kr

Papprulle

11,34 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 5 000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

13 A

170 mOhms

- 10 V

1.6 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLR65R200D2XUMA1
Infineon Technologies
1: 26,18 kr
4 825På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
IGLR65R200D2XUMA1

Mouser artikelnummer
726-IGLR65R200D2XUMA

Ny produkt

Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Läs mer

Datablad

4 825På lager

Klipp band

26,18 kr

16,96 kr

11,66 kr

9,39 kr

Granska

Papprulle

7,45 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 5 000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

9.2 A

240 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLR65R270D2XUMA1
Infineon Technologies
1: 22,79 kr
4 720På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
IGLR65R270D2XUMA1

Mouser artikelnummer
726-IGLR65R270D2XUMA

Ny produkt

Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Läs mer

Datablad

4 720På lager

Klipp band

22,79 kr

14,63 kr

10,03 kr

7,98 kr

Papprulle

6,21 kr

Granska

Min.: 1
Multipla: 1

: 5 000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

7.2 A

330 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLT65R045D2ATMA1
Infineon Technologies
1: 78,12 kr
1 173På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
IGLT65R045D2ATMA1

Mouser artikelnummer
726-IGLT65R045D2ATMA

Ny produkt

Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Läs mer

Datablad

1 173På lager

Klipp band

78,12 kr

53,11 kr

39,01 kr

38,37 kr

32,54 kr

Papprulle

32,54 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

38 A

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLT65R110D2ATMA1
Infineon Technologies
1: 43,04 kr
1 495På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
IGLT65R110D2ATMA1

Mouser artikelnummer
726-IGLT65R110D2ATMA

Ny produkt

Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Läs mer

Datablad

1 495På lager

Klipp band

43,04 kr

28,41 kr

20,14 kr

17,28 kr

Papprulle

14,63 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

15 A

140 mOhms

- 10 V

1.6 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGOT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: 122,32 kr
878På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
IGOT65R025D2AUMA1

Mouser artikelnummer
726-IGOT65R025D2AUMA

Ny produkt

Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Läs mer

Datablad

878På lager

Klipp band

122,32 kr

90,52 kr

75,47 kr

65,40 kr

Papprulle

57,03 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

61 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

181 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGOT65R035D2AUMA1
Infineon Technologies
1: 100,59 kr
482På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
IGOT65R035D2AUMA1

Mouser artikelnummer
726-IGOT65R035D2AUMA

Ny produkt

Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Läs mer

Datablad

482På lager

Klipp band

100,59 kr

69,32 kr

53,42 kr

45,37 kr

Papprulle

45,37 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGOT65R045D2AUMA1
Infineon Technologies
1: 80,45 kr
1 268På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
IGOT65R045D2AUMA1

Mouser artikelnummer
726-IGOT65R045D2AUMA

Ny produkt

Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Läs mer

Datablad

1 268På lager

Klipp band

80,45 kr

54,38 kr

40,39 kr

39,33 kr

Papprulle

34,77 kr

33,92 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGOT65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1: 67,20 kr
613På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
IGOT65R055D2AUMA1

Mouser artikelnummer
726-IGOT65R055D2AUMA

Ny produkt

Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Läs mer

Datablad

613På lager

Klipp band

67,20 kr

45,37 kr

32,97 kr

26,61 kr

Papprulle

26,61 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
1: 66,67 kr
5På lager
3 600Förväntad 2026-12-16
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
IGLT65R055D2ATMA1

Mouser artikelnummer
726-IGLT65R055D2ATMA

Ny produkt

Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Läs mer

Datablad

5På lager

3 600Förväntad 2026-12-16

Klipp band

66,67 kr

43,99 kr

33,39 kr

30,85 kr

26,39 kr

Papprulle

26,39 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: 116,28 kr
9 090På beställningen
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
IGLT65R025D2AUMA1

Mouser artikelnummer
726-IGLT65R025D2AUMA

Ny produkt

Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Läs mer

Datablad

9 090På beställningen

Klipp band

116,28 kr

80,88 kr

64,77 kr

55,01 kr

Papprulle

55,01 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

67 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1: 97,52 kr
3 537Förväntad 2026-08-27
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
IGLT65R035D2ATMA1

Mouser artikelnummer
726-IGLT65R035D2ATMA

Ny produkt

Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Läs mer

Datablad

3 537Förväntad 2026-08-27

Klipp band

97,52 kr

67,20 kr

51,41 kr

43,67 kr

Papprulle

43,67 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Kundtjänstkontor

Företag

Resurser

Support