SiC-MOSFET:ar – Mouser Sverige

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Tredje generationens MOSFET:ar av kiselkarbid

Tredje generationens MOSFET:ar av kiselkarbid från Toshiba är utformade för industriella högeffekttillämpningar som t.ex. AC-DC-strömförsörjningar på 400 V AC. Andra tillämpningar innefattar solcellsomvandlare (PV) och dubbelriktade DC-DC-omvandlare för avbrottsfri strömförsörjning (UPS). Dessa MOSFET:ar bidrar till att minska strömförbrukningen och förbättra effekttätheten. Detta tack vare SiC-teknik som gör det möjligt för enheter att leverera högre spänning, snabbare växling och lägre på-motstånd. Tredje generationens kretsdesign från Toshiba erbjuder förbättrad tillförlitlighet utöver en ingångskapacitans (C_ISS) på 4850 pF (typisk), en låg gate-inputladdning (Q_g) på 128 NC (typisk) och ett på-motstånd från dränering till källa (R_DS(On)) på endast 15 mΩ eller 30 mΩ (typisk).

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 24

Tillämpade filter:

Monteringsstil

Paket/låda

Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Vgs - Gate-källans spänning

Qg - Gate-laddning

Minsta drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Bild	Artikelnummer	Tillverk:	Beskrivning	Datablad	Tillgänglighet	Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.	Antal	Monteringsstil	Paket/låda	Antal kanaler	Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning	Id - Kontinuerlig dräneringsström	Rds på - Dräneringskällans resistans	Vgs - Gate-källans spänning	Vgs th - Gate-källans tröskelspänning	Qg - Gate-laddning	Minsta drifttemperatur	Maximal drifttemperatur	Pd - Effektavledning	Kanalläge
SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm TW015Z65C,S1F Toshiba 1: 162,76 kr 132På lager	Tillverk: Artikelnummer TW015Z65C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW015Z65CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	132På lager	162,76 kr 135,84 kr 94,62 kr 93,63 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	100 A	15 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	128 nC		+ 175 C	342 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW031V65C,LQ Toshiba 1: 109,90 kr 2 500På lager Ny produkt	Tillverk: Artikelnummer TW031V65C,LQ Mouser artikelnummer 757-TW031V65CLQ Ny produkt	Toshiba	SiC-MOSFET:ar N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	2 500På lager	Klipp band 109,90 kr 81,44 kr Papprulle 81,44 kr	Min.: 1 Multipla: 1 : 2 500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	53 A	45 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	65 nC		+ 175 C	156 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW054V65C,LQ Toshiba 1: 85,94 kr 2 480På lager Ny produkt	Tillverk: Artikelnummer TW054V65C,LQ Mouser artikelnummer 757-TW054V65CLQ Ny produkt	Toshiba	SiC-MOSFET:ar N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	2 480På lager	Klipp band 85,94 kr 59,02 kr Papprulle 59,02 kr	Min.: 1 Multipla: 1 : 2 500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	36 A	81 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	41 nC		+ 175 C	132 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW092V65C,LQ Toshiba 1: 71,33 kr 2 493På lager Ny produkt	Tillverk: Artikelnummer TW092V65C,LQ Mouser artikelnummer 757-TW092V65CLQ Ny produkt	Toshiba	SiC-MOSFET:ar N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	2 493På lager	Klipp band 71,33 kr 48,25 kr 46,05 kr Papprulle 46,05 kr	Min.: 1 Multipla: 1 : 2 500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	27 A	136 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	28 nC		+ 175 C	111 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW123V65C,LQ Toshiba 1: 56,60 kr 2 500På lager Ny produkt	Tillverk: Artikelnummer TW123V65C,LQ Mouser artikelnummer 757-TW123V65CLQ Ny produkt	Toshiba	SiC-MOSFET:ar N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	2 500På lager	Klipp band 56,60 kr 33,85 kr Papprulle 33,85 kr	Min.: 1 Multipla: 1 : 2 500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	18 A	183 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	21 nC		+ 175 C	76 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm TW030Z120C,S1F Toshiba 1: 114,30 kr 27På lager	Tillverk: Artikelnummer TW030Z120C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW030Z120CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	27På lager	114,30 kr 85,72 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	60 A	30 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	82 nC		+ 175 C	249 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm TW060Z120C,S1F Toshiba 1: 99,46 kr 31På lager	Tillverk: Artikelnummer TW060Z120C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW060Z120CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	31På lager	99,46 kr 75,17 kr 71,44 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	60 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	46 nC		+ 175 C	170 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm TW140Z120C,S1F Toshiba 1: 87,04 kr 61På lager	Tillverk: Artikelnummer TW140Z120C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW140Z120CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	61På lager	87,04 kr 59,57 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	20 A	140 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	24 nC		+ 175 C	107 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm TW045Z120C,S1F Toshiba 1: 106,93 kr 14På lager 30Förväntad 2026-12-04	Tillverk: Artikelnummer TW045Z120C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW045Z120CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	14På lager 30Förväntad 2026-12-04	106,93 kr 78,69 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	45 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	57 nC		+ 175 C	182 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm TW015N120C,S1F Toshiba 1: 305,96 kr 28På lager	Tillverk: Artikelnummer TW015N120C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW015N120CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	28På lager	305,96 kr 221,89 kr 171,77 kr 168,70 kr Beräkning Beräkning	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	100 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	158 nC	- 55 C	+ 175 C	431 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm TW015N65C,S1F Toshiba 1: 162,76 kr 41På lager	Tillverk: Artikelnummer TW015N65C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW015N65CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	41På lager	162,76 kr 135,84 kr 93,63 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	100 A	21 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	128 nC	- 55 C	+ 175 C	342 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm TW015Z120C,S1F Toshiba 1: 187,82 kr 12På lager 60Förväntad 2026-10-19	Tillverk: Artikelnummer TW015Z120C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW015Z120CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	12På lager 60Förväntad 2026-10-19	187,82 kr 161,00 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	15 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	158 nC		+ 175 C	431 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm TW027N65C,S1F Toshiba 1: 97,59 kr 2På lager	Tillverk: Artikelnummer TW027N65C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW027N65CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	2På lager	97,59 kr 76,49 kr 66,93 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	58 A	37 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	65 nC	- 55 C	+ 175 C	156 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm TW030N120C,S1F Toshiba 1: 119,46 kr 67På lager	Tillverk: Artikelnummer TW030N120C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW030N120CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	67På lager	119,46 kr 68,36 kr 63,30 kr 59,13 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV		40 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	249 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm TW045N120C,S1F Toshiba 1: 128,36 kr 92På lager	Tillverk: Artikelnummer TW045N120C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW045N120CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	92På lager	128,36 kr 78,69 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	182 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm TW048Z65C,S1F Toshiba 1: 75,94 kr 32På lager	Tillverk: Artikelnummer TW048Z65C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW048Z65CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	32På lager	75,94 kr 50,00 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	40 A	48 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	41 nC		+ 175 C	132 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm TW060N120C,S1F Toshiba 1: 99,46 kr 189På lager	Tillverk: Artikelnummer TW060N120C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW060N120CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	189På lager	99,46 kr 78,03 kr 71,44 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	170 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm TW083N65C,S1F Toshiba 1: 72,97 kr 15På lager	Tillverk: Artikelnummer TW083N65C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW083N65CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	15På lager	72,97 kr 42,75 kr 34,51 kr 31,65 kr 30,00 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	145 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	76 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm TW083Z65C,S1F Toshiba 1: 69,02 kr 25På lager	Tillverk: Artikelnummer TW083Z65C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW083Z65CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	25På lager	69,02 kr 44,07 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	30 A	83 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	28 nC		+ 175 C	111 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm TW107N65C,S1F Toshiba 1: 70,89 kr 19På lager	Tillverk: Artikelnummer TW107N65C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW107N65CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	19På lager	70,89 kr 36,93 kr 35,28 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	113 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	111 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm TW107Z65C,S1F Toshiba 1: 58,36 kr 40På lager	Tillverk: Artikelnummer TW107Z65C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW107Z65CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	40På lager	58,36 kr 39,67 kr 35,28 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	20 A	107 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	21 nC		+ 175 C	76 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm TW140N120C,S1F Toshiba 1: 86,49 kr 210Förväntad 2027-01-15	Tillverk: Artikelnummer TW140N120C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW140N120CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	210Förväntad 2027-01-15	86,49 kr 46,27 kr 42,64 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	20 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm TW027Z65C,S1F Toshiba 1: 97,48 kr Ledtid för icke lagerfört 24 Veckor	Tillverk: Artikelnummer TW027Z65C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW027Z65CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	Ledtid för icke lagerfört 24 Veckor	97,48 kr 68,91 kr 57,37 kr 51,10 kr 47,81 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	58 A	27 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	65 nC		+ 175 C	156 W	Enhancement
SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm TW048N65C,S1F Toshiba 1: 75,94 kr Ledtid för icke lagerfört 24 Veckor	Tillverk: Artikelnummer TW048N65C,S1F Mouser artikelnummer 757-TW048N65CS1F	Toshiba	SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm Läs mer om Toshiba 3 gen sic mosfets	Datablad	Ledtid för icke lagerfört 24 Veckor	75,94 kr 53,52 kr 43,30 kr 38,47 kr 34,07 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	40 A	65 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	132 W	Enhancement

Tredje generationens MOSFET:ar av kiselkarbid

Tillämpade filter:

Kundtjänstkontor

Företag

Resurser

Support