NCV8406DD1CR2G

Name: onsemi NCV8406DD1CR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV8406DD1CR2G
Price: 22.97 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NCV8406DD1CR2G

Tillverk: Nr.:

NCV8406DD1CR2G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er AUTOMOTIVE SMARTFET

Datablad:

NCV8406DD1CR2G Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NCV8406DD1CR2G

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOIC-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Rds på - Dräneringskällans resistans:	210 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	14 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	1.2 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Falltid:	692 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	486 ns
Serie:	NCV8406DD1CR2G
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	1600 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	127 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NCV8406DD1CR2G Datablad (PDF)

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Filippinerna
Monteringsland:: Filippinerna
Distributionsland:: Tjeckien

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

NCV8406DD Dubbel självskyddad drivenhet på den låga sidan

onsemi NCV8406DD Dual Self-Protected Low-Side Driver is a dual-protected low-side smart, discrete device with a temperature and current limit. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD, and integrated drain-to-gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments.

PRESENTERADE PRODUKTER

ONSEMI

NVMTS1D1N08X N‐Channel Power MOSFETs

80V automotive MOSFETs with low on-resistance and soft-recovery body diode.

Läs mer

80V Single N-Channel Power MOSFETs

Offer low R_DS(on) to minimize conduction losses & low QG and capacitance to minimize driver losses.

Läs mer

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

Läs mer

NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

Läs mer

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

Läs mer

På lager: 7 345

Lager:: 7 345 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1 Maximalt: 250

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	22,97 kr	22,97 kr
	14,51 kr	145,10 kr
	9,83 kr	983,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	9,83 kr	24 575,00 kr

NCV8406DD1CR2G

Tillverk: onsemi

Beskrivning: MOSFET:er AUTOMOTIVE SMARTFET

Specifikationer

Dokument (1)

Datablad

Produkt- och köpvillkor

Mer information

NCV8406DD Dubbel självskyddad drivenhet på den låga sidan

Andra kunder köpte också

PRESENTERADE PRODUKTER ONSEMI

På lager: 7 345

Prissättning (SEK)

Snabbvy

Ett oväntat fel har inträffat.

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er AUTOMOTIVE SMARTFET

PRESENTERADE PRODUKTER

ONSEMI