DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules

Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules offer a 1.35V at 100A forward voltage and a 500W power dissipation. The devices operate at a -40°C to +150°C maximum temperature range. The Infineon DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules are available in a package of 45mm x 107.5mm x 20.5mm (W x L x H).

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil If - Framström Konfiguration Vf - Framspänning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Teknologi Förpackning
Infineon Technologies Diodmoduler LOW POWER ECONO 15På lager
30Förväntad 2026-12-17
606,87 kr
448,61 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Screw Mount 100 A Single 1.35 V - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies Diodmoduler LOW POWER ECONO 13På lager
652,48 kr
484,44 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Tray
Infineon Technologies Diodmoduler LOW POWER ECONO Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
509,17 kr
457,40 kr
Min.: 15
Multipla: 15
Screw Mount 35 A 1.35 V - 40 C + 150 C Si Tray