Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

NTBG028N170M1

Name: onsemi NTBG028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG028N170M1
Price: 366.12 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NTBG028N170M1

Tillverk: Nr.:

NTBG028N170M1

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

Datablad:

NTBG028N170M1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NTBG028N170M1

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-7
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.7 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	71 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	40 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.3 V
Qg - Gate-laddning:	222 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	428 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	EliteSiC
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	13 ns
Transkonduktans framåt - Min:	27 S
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	18 ns
Serie:	NTBG028N170M1
Fabriksförpackningskvantitet:	800
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	121 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	47 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NTBG028N170M1 Datablad

Material Composition Disclosure

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Korea
Monteringsland:: Kina
Distributionsland:: Korea

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

NTBG028N170M1 1700 V MOSFET av kiselkarbid (SIC)

NTBG028N170M1 1700 V MOSFET av kiselkarbid (SiC) från onsemi är optimerad för tillämpningar med snabb switchning. MOSFET från onsemi har plan teknik som fungerar tillförlitligt med drivenheter med negativ gate-spänning och stänger av spikar på gaten. Denna familj har optimal prestanda när den drivs med en 20 V-portdrivenhet men fungerar även bra med en 18 V-portdrivenhet.

PRESENTERADE PRODUKTER

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

Läs mer

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

Läs mer

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

Läs mer

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

Läs mer

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

Läs mer

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 539

Förväntad 2026-11-06

5 600

2 400

Förväntad 2027-01-05

2 400

Förväntad 2027-01-15

800

Förväntad 2027-05-10
Fabrikens ledtid:: 30

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1 Maximalt: 280

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	366,12 kr	366,12 kr
	297,33 kr	2 973,30 kr
	284,82 kr	28 482,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)
	284,82 kr	227 856,00 kr

NTBG028N170M1

Tillverk: onsemi

Beskrivning: SiC-MOSFET:ar SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

Specifikationer

Dokument (1)

Datablad

Miljödokument

Produkt- och köpvillkor

Mer information

M1 EliteSiC MOSFETs

NTBG028N170M1 1700 V MOSFET av kiselkarbid (SIC)

Andra kunder köpte också

PRESENTERADE PRODUKTER ONSEMI

Tillgänglighet

Prissättning (SEK)

Snabbvy

Ett oväntat fel har inträffat.

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

PRESENTERADE PRODUKTER

ONSEMI