TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

Typer av Åtskilda halvledare
Ändra kategorivy
Resultat: 15
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS Produkttyp
Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Datablad
1 425På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Datablad
1 280På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Datablad
615På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Datablad
279På lager
Min.: 1
Multipla: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Datablad
382På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Datablad
396På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT-moduler 650 V, 40 A 3-level IGBT module
Datablad
8På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Datablad
480På lager
Min.: 1
Multipla: 1
IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 39 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 39 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 39 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 39 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 240
Multipla: 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4