750 V UJ4C/SC SiC FET i D2PAK-7L-kapsling
UnitedSiC / Qorvo UJ4C/SC SiC 750 V FET:ar i D2PAK-7L paket finns i flera alternativ för på-motstånd från 9 mΩ till 60 mΩ. Genom att dra nytta av en unik SiC FET kaskodsteknik där en normalt-på SiC JFET är förpackad med en Si MOSFET för att producera en normalt-av FET SiC, levererar dessa enheter en rekordhög RDS x områdets godhetstal, vilket resulterar i de lägsta ledningsförlusterna på en liten krets. D2PAK-7L-kapslingen ger minskad induktans från kompakta interna anslutningsslingor, vilket tillsammans med den medföljande Kelvin-källanslutningen resulterar i låg switchförlust, vilket möjliggör högre frekvensdrift och förbättrad systemeffektdensitet. Fem parallella måsvinganslutningar möjliggör låg induktans och användning av hög ström. Kretsfästet med silversintring ger en mycket låg termisk resistans för maximal värmeborttagning på standardkretskort och IMS-substrat med vätskekylning. Denna SIC FET har en diod med låg form, extremt låg gate-laddning och en tröskelspänning på 4,8 V som möjliggör drivning mellan 0 V och 15 V. Standarda gatedrivningsegenskaper hos FET:erna gör dem perfekta ersättare för Si IGBT:er, Si FET:ar, SiC MOSFET:ar eller Si superkopplingsenheter.
