NVHL015N065SC1

onsemi
863-NVHL015N065SC1
NVHL015N065SC1

Tillverk:

Beskrivning:
SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-3L 650V

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om onsemi NVHL015N065SC1

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
163 A
12 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
283 nC
- 55 C
+ 175 C
643 W
Enhancement
EliteSiC
Märke: onsemi
Konfiguration: Single
Falltid: 11 ns
Transkonduktans framåt - Min: 44 S
Förpackning: Tube
Produkttyp: SiC MOSFETS
Stigtid: 77 ns
Serie: NVHL015N065SC1
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: Transistors
Transistorns polaritet: N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 47 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 25 ns
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Datablad

PCN

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Kina
Monteringsland:
Kina
Distributionsland:
Korea
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NVHL015N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVHL015N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET employs new technology that provides superior switching performance and high reliability. This SiC MOSFET features n-channel, high efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The NVHL015N065SC1 MOSFET offers low ON resistance and compact chip size, which ensures low capacitance and gate charge. This EliteSiC MOSFET is 100% UIL tested and AEC−Q101 qualified. The NVHL015N065SC1 MOSFET features 650V drain−to−source voltage and 12mohm resistance. Typical applications include automotive traction inverters, DC/DC converters for EV/HEV, and onboard chargers.

På lager: 390

Lager:
390 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
31 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
367,62 kr 367,62 kr
272,88 kr 2 728,80 kr
272,77 kr 32 732,40 kr
510 Beräkning

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.