NTBG023N065M3S

onsemi
863-NTBG023N065M3S
NTBG023N065M3S

Tillverk:

Beskrivning:
SiC-MOSFET:ar SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om onsemi NTBG023N065M3S

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:  
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
650 V
40 A
33 mOhms
- 10 V, + 22.6 V
4 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
263 W
Enhancement
EliteSiC
Märke: onsemi
Konfiguration: Single
Falltid: 9.6 ns
Förpackning: Reel
Förpackning: Cut Tape
Produkt: SiC MOSFETS
Produkttyp: SiC MOSFETS
Stigtid: 15 ns
Serie: NTBG023N065M3S
Fabriksförpackningskvantitet: 800
Underkategori: Transistors
Transistorns polaritet: N-Channel
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 35 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 11 ns
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Datablad

PCN

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Kina
Monteringsland:
Kina
Distributionsland:
Korea
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

NTBG023N065M3S 23mΩ EliteSiC MOSFET

onsemi NTBG023N065M3S 23mΩ EliteSiC MOSFET offers an M3S planar technology for fast-switching applications in a D2PAK-7L package. This MOSFET features 650V drain-to-source voltage, 40A continuous drain current, 263W power dissipation, and 216A pulsed drain current. The NTBG023N065M3S MOSFET integrates an ultra-low gate charge and high-speed switching MOSFET with low capacitance (Coss = 153pF). This MOSFET operates at -55°C to 175°C temperature range and is 100% avalanche-tested. The NTBG023N065M3S MOSFET is Halide-free and RoHS compliant with a 7a exemption. Typical applications include Switching Mode Power Supplies (SMPS), solar inverters, UPS, energy storage, and EV charging infrastructure.

NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a D2PAK-7L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTBG025N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

På lager: 566

Lager:
566 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
48 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
115,61 kr 115,61 kr
65,06 kr 650,60 kr
63,41 kr 6 341,00 kr
60,01 kr 30 005,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)
60,01 kr 48 008,00 kr

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor om en specifik beställning loggar du in på ditt konto.

Om du fortfarande har problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka e-post till help@mouser.com.