SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1:
215,44 kr
1 262 På lager
Mouser artikelnummer
511-SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
1 262 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
600
Detaljer
SMD/SMT
HU3PAK-7
1 Channel
1.2 kV
100 A
28 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
121 nC
- 55 C
555 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1:
235,24 kr
558 På lager
Mouser artikelnummer
511-SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
558 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
HiP247-3
1 Channel
900 V
110 A
15.8 mOhms
- 10 V, + 22 V
3.1 V
138 nC
- 55 C
+ 200 C
625 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1:
268,20 kr
443 På lager
Mouser artikelnummer
511-SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
443 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
HiP-247-4
1 Channel
1.2 kV
129 A
15 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
167 nC
- 55 C
+ 200 C
673 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
360°
Över 6 bilder
SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1:
193,73 kr
181 På lager
600 På beställningen
Mouser artikelnummer
511-SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
181 På lager
600 På beställningen
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
Hip247-4
1 Channel
1.2 kV
100 A
28 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
121 nC
- 55 C
+ 200 C
541 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
360°
Över 5 bilder
SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1:
128,48 kr
826 På lager
Mouser artikelnummer
511-SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
826 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 000
Detaljer
SMD/SMT
H2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
40 A
54 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
54 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
360°
Över 6 bilder
SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1:
183,38 kr
43 På lager
600 På beställningen
Mouser artikelnummer
511-SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
43 På lager
600 På beställningen
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
HiP247-3
1 Channel
1.2 kV
56 A
37 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
73 nC
- 55 C
+ 200 C
388 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
360°
Över 6 bilder
SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1:
193,73 kr
9 På lager
1 200 På beställningen
Mouser artikelnummer
511-SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
9 På lager
1 200 På beställningen
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
HiP-247-4
1 Channel
1.2 kV
56 A
37 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
73 nC
- 55 C
+ 200 C
388 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
360°
Över 6 bilder
SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1:
135,34 kr
6 På lager
600 Förväntad 2027-10-29
Mouser artikelnummer
511-SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
6 På lager
600 Förväntad 2027-10-29
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
HiP-247-3
1 Channel
1.2 kV
40 A
54 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
56 nC
- 55 C
+ 200 C
312 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1:
298,24 kr
1 200 Förväntad 2027-08-06
Mouser artikelnummer
511-SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
1 200 Förväntad 2027-08-06
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
600
Detaljer
SMD/SMT
HU3PAK-7
1 Channel
750 V
110 A
15 mOhms
- 10 V, + 22 V
3.2 V
154 nC
- 55 C
+ 175 C
652 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1:
260,89 kr
1 800 På beställningen
Mouser artikelnummer
511-SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
1 800 På beställningen
Visa datum
Fabrikens ledtid:
25 Veckor
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 000
Detaljer
SMD/SMT
H2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
112 A
22 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
150 nC
- 55 C
+ 175 C
652 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1:
177,64 kr
1 997 Förväntad 2027-06-11
Mouser artikelnummer
511-SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
1 997 Förväntad 2027-06-11
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 000
Detaljer
SMD/SMT
H2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
55 A
37 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
73 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
360°
Över 5 bilder
SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1:
223,09 kr
998 Förväntad 2027-06-04
Mouser artikelnummer
511-SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
998 Förväntad 2027-06-04
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 000
Detaljer
SMD/SMT
H2PAK-7
1 Channel
900 V
110 A
12 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
138 nC
- 55 C
+ 175 C
625 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1:
156,83 kr
1 200 På beställningen
Mouser artikelnummer
511-SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
1 200 På beställningen
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
600
Detaljer
SMD/SMT
HU3PAK-7
1 Channel
1.2 kV
40 A
72 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
54 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1:
132,19 kr
600 Förväntad 2027-08-13
Mouser artikelnummer
511-SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
600 Förväntad 2027-08-13
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
600
Detaljer
SMD/SMT
H2PAK-2
1 Channel
650 V
7 A
40 mOhms
- 30 V, + 30 V
5 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
266 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1:
130,95 kr
1 800 Förväntad 2027-08-13
Mouser artikelnummer
511-SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
1 800 Förväntad 2027-08-13
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
600
Detaljer
SMD/SMT
HU3PAK-7
1 Channel
650 V
30 A
72 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.2 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
185 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
360°
Över 6 bilder
SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1:
141,98 kr
599 Förväntad 2026-12-14
Mouser artikelnummer
511-SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
599 Förväntad 2026-12-14
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
600
Detaljer
SMD/SMT
HU3PAK-7
1 Channel
1.2 kV
30 A
87 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
37 nC
- 55 C
+ 175 C
223 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1:
132,30 kr
100 På beställningen
Mouser artikelnummer
511-SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
100 På beställningen
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
HiP247-4
1 Channel
1.2 kV
40 A
54 mOhms
- 10 V, + 22 V
3.1 V
56 nC
- 55 C
+ 200 C
312 W
Enhancement
AEC-Q101