Effekt-MOSFET av kiselkarbid för fordon

STMicroelectronics  effekt-MOSFET:er av kiselkarbid för fordon  har utvecklats med ST:s  avancerade och innovativa 2:a/3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheterna  har låg resistans per enhetsområde och mycket bra switching -prestanda. MOSFET-enheterna klarar mycket hög drifttemperatur (TJ = 200°C) och en mycket snabb och robust egen stomdiod.

Resultat: 17
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Kvalificering
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package 1 262På lager
Klipp band
215,44 kr
160,88 kr
139,28 kr
Papprulle
131,74 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C 555 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package 558På lager
235,24 kr
188,33 kr
162,79 kr
154,24 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole HiP247-3 1 Channel 900 V 110 A 15.8 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 138 nC - 55 C + 200 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package 443På lager
268,20 kr
214,65 kr
185,63 kr
175,84 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole HiP-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 15 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 167 nC - 55 C + 200 C 673 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package 181På lager
600På beställningen
193,73 kr
114,75 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole Hip247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C + 200 C 541 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package 826På lager
Klipp band
128,48 kr
95,74 kr
79,88 kr
71,10 kr
Papprulle
66,38 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package 43På lager
600På beställningen
183,38 kr
114,08 kr
106,99 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole HiP247-3 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package 9På lager
1 200På beställningen
193,73 kr
125,78 kr
111,26 kr
102,38 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole HiP-247-4 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package 6På lager
600Förväntad 2027-10-29
135,34 kr
103,16 kr
85,95 kr
76,61 kr
71,55 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole HiP-247-3 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
1 200Förväntad 2027-08-06
Klipp band
298,24 kr
238,73 kr
206,44 kr
Papprulle
195,53 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 750 V 110 A 15 mOhms - 10 V, + 22 V 3.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
1 800På beställningen
Klipp band
260,89 kr
208,91 kr
180,68 kr
171,00 kr
Papprulle
159,86 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 112 A 22 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
1 997Förväntad 2027-06-11
Klipp band
177,64 kr
110,03 kr
108,56 kr
Papprulle
100,24 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 55 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
998Förväntad 2027-06-04
Klipp band
223,09 kr
144,79 kr
144,56 kr
136,58 kr
Papprulle
127,58 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 900 V 110 A 12 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 138 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
1 200På beställningen
Klipp band
156,83 kr
119,48 kr
99,56 kr
Papprulle
88,76 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 40 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
600Förväntad 2027-08-13
Klipp band
132,19 kr
100,69 kr
83,93 kr
Papprulle
74,81 kr
70,76 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 600
SMD/SMT H2PAK-2 1 Channel 650 V 7 A 40 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
1 800Förväntad 2027-08-13
Klipp band
130,95 kr
84,60 kr
77,06 kr
Papprulle
70,09 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
599Förväntad 2026-12-14
Klipp band
141,98 kr
97,43 kr
85,84 kr
Papprulle
77,40 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
100På beställningen
132,30 kr
98,55 kr
82,13 kr
73,24 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole HiP247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101