MURT400x Silicon Super Fast Recovery Diodes

GeneSiC Semiconductor MURT400x silicon super fast recovery diodes provide high surge capability and repetitive peak reverse voltage of up to 600V. GeneSiC MURT400x silicon super fast recovery diodes come in a three tower package and feature continuous forward current of 400A. These GeneSiC Semiconductor silicon super fast recovery diodes provide an operating temperature of -40ºC to +175°C.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Vr - Backspänning
If - Framström
Typ
Konfiguration
Vf - Framspänning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Serie
Förpackning
GeneSiC Semiconductor Diodmoduler 600V 400A Si Super Fast Recovery
Datablad
3På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Screw Mount Three Tower Iso 600 V 400 A Super Fast Recovery Dual-Common Cathode 1.7 V - 55 C + 150 C Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodmoduler 400V 400A Super Fast Recovery
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 10 Veckor
Min.: 40
Multipla: 40

SMD/SMT Three Tower 400 V 400 A Super Fast Recovery 1.35 V - 55 C + 150 C MURT400 Bulk