QPD1035 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1035 GaN RF Power Transistors are 40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply. The Qorvo QPD1035 transistors feature an input pre-match, making it ideal for broadband amplifiers in pulsed and CW operations. The devices are lead-free and RoHS-compliant.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Maximal driftsfrekvens Minsta driftfrekvens Teknologi
Qorvo GaN FET 30W, DC - 6GHz, Flanged 73På lager
Klipp band
4 259,14 kr
3 747,60 kr
3 367,91 kr
Papprulle
3 367,91 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 50
Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W 6 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN FET 30W, DC - 6GHz 43På lager
Klipp band
4 659,75 kr
4 122,23 kr
3 367,91 kr
Papprulle
3 367,91 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 50
Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W 6 GHz 0 Hz GaN