SiC-MOSFET:ar – Mouser Sverige

Hoppa till huvudinnehåll

En del av TTI:s familj av specialisterKontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715Feedback

+46 8 590 88 715 Ändra land

I lager

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC Power MOSFETs

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC (Silicon Carbide) Power MOSFET features minimal ON-resistance and excellent switching performance, almost independent of temperature, due to the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SCTW70N120G2V also offers a high-speed, robust intrinsic body diode and extremely low gate charge and input capacities. A high-temperature rating of +200°C enables the improved thermal design of power electronics systems.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 5

Tillämpade filter:

Monteringsstil

Paket/låda

Antal kanaler

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Vgs - Gate-källans spänning

Vgs th - Gate-källans tröskelspänning

Qg - Gate-laddning

Maximal drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Kvalificering

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Välj	Bild	Artikelnummer	Tillverk:	Beskrivning	Datablad	Tillgänglighet	Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.	Antal	RoHS	ECAD-modell	Monteringsstil	Paket/låda	Antal kanaler	Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning	Id - Kontinuerlig dräneringsström	Rds på - Dräneringskällans resistans	Vgs - Gate-källans spänning	Vgs th - Gate-källans tröskelspänning	Qg - Gate-laddning	Minsta drifttemperatur	Maximal drifttemperatur	Pd - Effektavledning	Kanalläge	Kvalificering
	SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 193,73 kr 181På lager 600På beställningen	Tillverk: Artikelnummer SCT020W120G3-4AG Mouser artikelnummer 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package Läs mer om STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datablad	181På lager 600På beställningen	193,73 kr 114,75 kr	Min.: 1 Multipla: 1			Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 133,54 kr 20På lager 1 200På beställningen	Tillverk: Artikelnummer SCT070W120G3-4AG Mouser artikelnummer 511-SCT070W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Läs mer om STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Datablad	20På lager 1 200På beställningen	133,54 kr 89,21 kr 83,93 kr 75,26 kr 70,76 kr	Min.: 1 Multipla: 1			Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: 141,98 kr 599Förväntad 2026-12-14	Tillverk: Artikelnummer SCT070HU120G3AG Mouser artikelnummer 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package Läs mer om STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Datablad	599Förväntad 2026-12-14	Klipp band 141,98 kr 97,43 kr 85,84 kr Papprulle 77,40 kr	Min.: 1 Multipla: 1 : 600			SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package SCT070H120G3AG STMicroelectronics 1: 125,10 kr Ledtid för icke lagerfört 25 Veckor	Tillverk: Artikelnummer SCT070H120G3AG Mouser artikelnummer 511-SCT070H120G3AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package Läs mer om STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Datablad	Ledtid för icke lagerfört 25 Veckor	Klipp band 125,10 kr 93,26 kr 77,74 kr 69,30 kr Papprulle 64,69 kr	Min.: 1 Multipla: 1 : 1 000			SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4 STMicroelectronics 1: 122,06 kr Ledtid för icke lagerfört 36 Veckor	Tillverk: Artikelnummer SCT070W120G3-4 Mouser artikelnummer 511-SCT070W120G3-4	STMicroelectronics	SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Läs mer om STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Datablad	Ledtid för icke lagerfört 36 Veckor	122,06 kr 90,90 kr 75,71 kr 67,50 kr	Min.: 1 Multipla: 1			Through Hole	HiP247-4		1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement