SiC-MOSFET:ar – Mouser Sverige

Hoppa till huvudinnehåll

En del av TTI:s familj av specialisterKontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715Feedback

+46 8 590 88 715 Ändra land

I lager

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 7

Tillämpade filter:

Monteringsstil

Paket/låda

Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Vgs - Gate-källans spänning

Vgs th - Gate-källans tröskelspänning

Qg - Gate-laddning

Maximal drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Välj	Bild	Artikelnummer	Tillverk:	Beskrivning	Datablad	Tillgänglighet	Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.	Antal	RoHS	ECAD-modell	Monteringsstil	Paket/låda	Antal kanaler	Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning	Id - Kontinuerlig dräneringsström	Rds på - Dräneringskällans resistans	Vgs - Gate-källans spänning	Vgs th - Gate-källans tröskelspänning	Qg - Gate-laddning	Minsta drifttemperatur	Maximal drifttemperatur	Pd - Effektavledning	Kanalläge	Handelsnamn
	SiC-MOSFET:ar SIC_DISCRETE AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies 1: 207,60 kr 724På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer AIMW120R045M1XKSA1 Mouser artikelnummer 726-AIMW120R045M1XKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar SIC_DISCRETE Läs mer om Infineon Technologies infineon 1200v automotive coolsic modules	Datablad	724På lager	207,60 kr 152,21 kr	Min.: 1 Multipla: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	52 A	59 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.7 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	228 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 138,14 kr 1 731På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMW65R027M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Läs mer om Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datablad	1 731På lager	138,14 kr 83,08 kr 81,99 kr	Min.: 1 Multipla: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 86,49 kr 299På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMZA65R048M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Läs mer om Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datablad	299På lager	86,49 kr 52,53 kr 51,65 kr	Min.: 1 Multipla: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 78,25 kr 498På beställningen NRND	Tillverk: Artikelnummer IMW120R140M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datablad	498På beställningen På beställningens leveransdatum Tillverk: Nr.: IMW120R140M1HXKSA1 Lager: 0 På beställningen: 18 Förväntad 2026-11-05 480 TBD Fabrikens ledtid: 52 Veckor	78,25 kr 48,25 kr 44,62 kr 35,50 kr	Min.: 1 Multipla: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	3.5 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 57,15 kr 24 949På beställningen	Tillverk: Artikelnummer IMBF170R1K0M1XTMA1 Mouser artikelnummer 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Läs mer om Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Datablad	24 949På beställningen På beställningens leveransdatum Tillverk: Nr.: IMBF170R1K0M1XTMA1 Lager: 0 På beställningen: 1 949 Förväntad 2027-01-07 23 000 TBD Fabrikens ledtid: 53 Veckor	Klipp band 57,15 kr 37,48 kr 28,02 kr 23,41 kr Papprulle 20,33 kr MouseReel tillgängligt	Min.: 1 Multipla: 1 : 1 000			SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 175,18 kr 2 160På beställningen NRND	Tillverk: Artikelnummer IMZ120R030M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMZ120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datablad	2 160På beställningen	175,18 kr 133,42 kr 111,22 kr 99,02 kr 92,54 kr	Min.: 1 Multipla: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 240: 40,33 kr Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor NRND	Tillverk: Artikelnummer IMZA65R072M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMZA65R072M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Läs mer om Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datablad	Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor	40,33 kr 40,22 kr	Min.: 240 Multipla: 240			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	28 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC