Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

NVBG025N065SC1

Name: onsemi NVBG025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG025N065SC1
Price: 276.29 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVBG025N065SC1

Tillverk: Nr.:

NVBG025N065SC1

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SIC MOS D2PAK-7L 650V

Datablad:

NVBG025N065SC1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVBG025N065SC1

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-7
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	106 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	28.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.3 V
Qg - Gate-laddning:	164 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	395 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	EliteSiC
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	8 ns
Transkonduktans framåt - Min:	27 S
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	19 ns
Serie:	NVBG025N065SC1
Fabriksförpackningskvantitet:	800
Underkategori:	Transistors
Transistorns polaritet:	N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	32 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	17 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVBG025N065SC1 Datablad

Material Composition Disclosure

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Kina
Monteringsland:: Kina
Distributionsland:: Korea

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

NVBG025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVBG025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVBG025N065SC1 features low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

PRESENTERADE PRODUKTER

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

Läs mer

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

Läs mer

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

Läs mer

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

Läs mer

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

Läs mer

På lager: 68

Lager:: 68 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 68 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	276,29 kr	276,29 kr
	209,03 kr	2 090,30 kr
	197,27 kr	19 727,00 kr
	186,72 kr	93 360,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)
	186,72 kr	149 376,00 kr

NVBG025N065SC1

Tillverk: onsemi

Beskrivning: SiC-MOSFET:ar SIC MOS D2PAK-7L 650V

Specifikationer

Dokument (1)

Datablad

Miljödokument

Produkt- och köpvillkor

Mer information

NVBG025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

M2 EliteSiC MOSFETs

PRESENTERADE PRODUKTER ONSEMI

På lager: 68

Prissättning (SEK)

Snabbvy

Ett oväntat fel har inträffat.

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SIC MOS D2PAK-7L 650V

PRESENTERADE PRODUKTER

ONSEMI