DMT26M0LDG Asymmetrical Dual N-Channel MOSFETs

Diodes Inc. DMT26M0LDG Asymmetrical Dual N-Channel MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance [RDS(ON)] yet maintain superior switching performance. These MOSFETs have a drain-source breakdown voltage (BVDSS) of 25V. The static drain-source on-resistance [RDS(ON)] for Q1 is 6mΩ at VGS = 10V, 7.5mΩ at VGS = 4.5V or Q2 is 2.0mΩ at VGS = 10V, 3.1mΩ at VGS = 4.5V. The continuous drain current (ID) rating for Q1 is 11.6A at VGS = 10V, 10.4A at VGS = 4.5V, or Q2 is 20.1A at VGS = 10V, 16.1A at VGS = 4.5V. These ratings make these Diodes Inc. DMT26M0LDG devices ideal for high-efficiency power-management applications.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Förpackning
Diodes Incorporated MOSFET:er MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
Datablad
776På lager
Klipp band
20,36 kr
12,83 kr
8,39 kr
6,66 kr
5,92 kr
Papprulle
5,40 kr
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 25 V 11.6 A, 20.1 A 7.5 Ohms 12 V 2.2 V 7.1 nC, 15.9 nC - 55 C + 150 C 1.24 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET:er MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
Datablad
2 854På lager
Klipp band
20,36 kr
12,83 kr
8,39 kr
6,66 kr
Papprulle
5,31 kr
Granska
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 25 V 11.6 A, 20.1 A 7.5 Ohms 12 V 2.2 V 7.1 nC, 15.9 nC - 55 C + 150 C 1.24 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel