SGT080R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT080R70ILB
SGT080R70ILB

Tillverk:

Beskrivning:
GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Komplettera din design

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om STMicroelectronics SGT080R70ILB

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: GaN FET
RoHS-direktivet:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
29 A
80 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
6.2 nC
- 55 C
+ 150 C
188 W
Enhancement
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Falltid: 4 ns
Fuktkänsliga: Yes
Förpackning: Reel
Förpackning: Cut Tape
Förpackning: MouseReel
Produkt: FET
Produkttyp: GaN FETs
Stigtid: 4 ns
Serie: SGT
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Teknologi: GaN
Typ: PowerGaN Transistor
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 5 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 3 ns
Enhetens vikt: 154 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Datablad

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Kina
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor is an enhancement-mode transistor designed for high-efficiency power conversion applications. Featuring a drain-source voltage rating of 700V and a typical on-resistance of just 80mΩ, the STMicroelectronics SGT080R70ILB leverages the superior switching performance of Gallium Nitride (GaN) technology to minimize conduction and switching losses. Housed in a compact PowerFLAT 8x8 HV package, the transistor supports high-frequency operation and is ideal for use in resonant converters, power factor correction (PFC) stages, and DC-DC converters. A low gate charge and output capacitance enable faster transitions and reduced energy dissipation, making the SGT080R70ILB well-suited for demanding applications in consumer electronics, industrial systems, and data centers.

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

På lager: 772

Lager:
772 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ †
62,43 kr 62,43 kr
41,98 kr 419,80 kr
30,42 kr 3 042,00 kr
28,51 kr 14 255,00 kr
24,80 kr 24 800,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
24,17 kr 72 510,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.