UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

Resultat: 23
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Kvalificering Handelsnamn
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/40MOSICFETG3TO247-4 3 278På lager
191,59 kr
114,64 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 26På lager
2 400Förväntad 2027-03-29
Klipp band
112,61 kr
79,65 kr
59,06 kr
55,91 kr
Papprulle
55,91 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO247-4 583På lager
124,76 kr
70,09 kr
65,03 kr
62,55 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/80MOSICFETG3TO24 1 142På lager
204,75 kr
124,88 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/80MOSICFETG3TO26 618På lager
Klipp band
186,08 kr
116,66 kr
113,29 kr
Papprulle
108,90 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO220 465På lager
115,99 kr
66,83 kr
61,88 kr
57,60 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO247 626På lager
119,14 kr
68,18 kr
63,23 kr
60,53 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/40MOSICFETG3TO247-3 202På lager
284,29 kr
212,18 kr
211,39 kr
189,56 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/150MOSICFETG3TO2 345På lager
Klipp band
123,53 kr
70,88 kr
65,36 kr
61,88 kr
Papprulle
61,88 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/30MOSICFETG3TO220-3 892På lager
248,29 kr
159,64 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/40MOSICFETG3TO247 1 166På lager
147,60 kr
111,94 kr
105,64 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/40MOSICFETG3TO24 610På lager
285,53 kr
189,56 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO263-3 1 252På lager
Klipp band
113,96 kr
65,70 kr
59,74 kr
56,48 kr
Papprulle
56,48 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO263-7 199På lager
Klipp band
130,39 kr
75,71 kr
70,65 kr
66,83 kr
Papprulle
66,83 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/400MOSICFETG3TO263-7 718På lager
800Förväntad 2027-01-08
Klipp band
89,55 kr
49,05 kr
45,11 kr
42,53 kr
Papprulle
42,53 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/80MOSICFETG3TO247-4 641På lager
204,86 kr
124,99 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1700V/400MOSICFETG3TO2 266På lager
600Förväntad 2026-12-18
114,53 kr
64,58 kr
59,74 kr
56,70 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/150MOSICFETG3TO247-4 63På lager
135,11 kr
75,49 kr
73,01 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/30MOSICFETG3TO247 62På lager
261,34 kr
160,65 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/30MOSICFETG3TO247-4
1 200Förväntad 2026-11-04
262,01 kr
209,70 kr
181,46 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/40MOSICFETG3TO220-3
1 000Förväntad 2026-11-10
197,33 kr
118,24 kr
112,84 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
300Förväntad 2027-01-15
112,28 kr
76,61 kr
63,90 kr
56,93 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/30MOSICFETG3TO263-3 Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Klipp band
244,46 kr
165,38 kr
Papprulle
165,38 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET