MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs
NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 VSWR, a 50VDC, 230MHz at all phase angles.
INGA RESULTAT HITTADES..
Försök att ändra din sökterm nedan eller besök vårt hjälpcenter.
Försök att ändra din sökterm nedan eller besök vårt hjälpcenter.
Sökförslag
- Kontrollera art. nr. eller nyckelord
- Använd kortare eller annat nyckelord
- Sök på 1 art.nr. i taget
- Använd 1 filter i taget