QPD0007TR13

Qorvo
772-QPD0007TR13
QPD0007TR13

Tillverk:

Beskrivning:
GaN FET 3.4-3.8GHz 15W 50V GaN Single Channel

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Qorvo
Produktkategori: GaN FET
RoHS-direktivet:  
GaN
Märke: Qorvo
Förpackning: Reel
Produkttyp: GaN FETs
Serie: QPD0007
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Del # Alias: QPD0007
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
USHTS:
8541497080
ECCN:
5A991.b
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Malaysia
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

QPD0007 GaN RF Transistors

Qorvo QPD0007 GaN RF Transistors are single-path discrete GaN on SiC high-electron-mobility transistors (HEMTs) in a DFN package. These Qorvo RF transistors are single-stage, unmatched transistors capable of delivering a P3dB output power of 20W at +48V operation. The QPD0007 transistors operate in the DC to 5GHz frequency range and offer 73% drain efficiency at 3.5GHz. Typical applications include WCDMA/LTE, macrocell base station, microcell base station, general-purpose, small cell, active antenna, and 5G massive MIMO.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 2500   Flera: 2500
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
159,79 kr 399 475,00 kr

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:
Emballage:
Reel, Cut Tape
Tillgänglighet:
På lager
Pris:
273,21 kr
Min:
1