SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
360°
Över 4 bilder
IMBG65R057M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
90,90 kr
1 995 På lager
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMBG65R057M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
1 995 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 000
Detaljer
SMD/SMT
1 Channel
650 V
39 A
74 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
161 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R039M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
90,00 kr
323 På lager
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMZA65R039M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
323 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
50 A
50 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
41 nC
- 55 C
+ 175 C
176 W
Enhancement
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
360°
Över 6 bilder
IMBG65R163M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
60,30 kr
1 000 På lager
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMBG65R163M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
1 000 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 000
Detaljer
SMD/SMT
1 Channel
650 V
17 A
217 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
85 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMBG65R048M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
98,10 kr
1 009 På lager
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMBG65R048M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
1 009 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 000
Detaljer
SMD/SMT
1 Channel
650 V
45 A
64 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
183 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
360°
Över 4 bilder
IMBG65R072M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
71,89 kr
861 På lager
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMBG65R072M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
861 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 000
Detaljer
SMD/SMT
1 Channel
650 V
33 A
94 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
140 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
360°
Över 4 bilder
IMBG65R107M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
65,25 kr
753 På lager
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMBG65R107M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
753 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 000
Detaljer
SMD/SMT
1 Channel
650 V
24 A
141 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
35 nC
- 55 C
+ 175 C
110 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
141,41 kr
1 701 På lager
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
1 701 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
47 A
34 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
100,69 kr
298 På lager
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
298 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
39 A
64 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMBG65R022M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
176,29 kr
143 På lager
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMBG65R022M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
143 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 000
Detaljer
SMD/SMT
1 Channel
650 V
64 A
30 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
67 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMBG65R260M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
49,39 kr
654 På lager
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMBG65R260M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
654 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle :
1 000
Detaljer
SMD/SMT
1 Channel
650 V
6 A
346 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
77,06 kr
314 På lager
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMW65R072M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
314 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
26 A
94 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
73,24 kr
453 På lager
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMW65R107M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
453 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
20 A
142 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
75 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R057M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
90,45 kr
128 På lager
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMZA65R057M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
128 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
35 A
74 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
133 W
Enhancement
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
104,06 kr
39 På lager
480 Förväntad 2026-12-03
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMW65R048M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
39 På lager
480 Förväntad 2026-12-03
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
39 A
64 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R083M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
71,44 kr
13 På lager
720 Förväntad 2026-11-30
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMW65R083M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
13 På lager
720 Förväntad 2026-11-30
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
24 A
111 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
104 W
Enhancement
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
153,90 kr
17 På lager
3 600 På beställningen
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMZA65R027M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
17 På lager
3 600 På beställningen
Visa datum
Lager:
17 Kan skickas omedelbart
På beställningen:
1 680 Förväntad 2026-11-26
1 920 Förväntad 2026-11-27
Fabrikens ledtid:
52 Veckor
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
59 A
34 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
63 nC
- 55 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
142,43 kr
175 På lager
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMZA65R030M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
175 På lager
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
53 A
42 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
48 nC
- 55 C
+ 175 C
197 W
Enhancement
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
140,18 kr
960 Förväntad 2027-01-07
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMW65R030M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
960 Förväntad 2027-01-07
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
58 A
42 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
48 nC
- 55 C
+ 175 C
197 W
Enhancement
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
360°
Över 4 bilder
IMBG65R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1 000:
70,76 kr
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMBG65R030M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Köp
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle :
1 000
Detaljer
SMD/SMT
1 Channel
650 V
63 A
42 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
234 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
360°
Över 6 bilder
IMBG65R039M1HXTMA1
Infineon Technologies
1 000:
59,63 kr
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMBG65R039M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Köp
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle :
1 000
Detaljer
SMD/SMT
1 Channel
650 V
54 A
51 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
41 nC
- 55 C
+ 175 C
211 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
360°
Över 6 bilder
IMBG65R083M1HXTMA1
Infineon Technologies
1 000:
37,58 kr
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMBG65R083M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Köp
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle :
1 000
Detaljer
SMD/SMT
1 Channel
650 V
28 A
111 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
44 nC
- 55 C
+ 175 C
126 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R039M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
113,06 kr
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMW65R039M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
46 A
50 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
41 nC
- 55 C
+ 175 C
176 W
Enhancement
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R057M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
97,65 kr
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMW65R057M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Köp
Min.: 1
Multipla: 1
Detaljer
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
35 A
74 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
133 W
Enhancement
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
240:
41,29 kr
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMZA65R072M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Köp
Min.: 240
Multipla: 240
Detaljer
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
28 A
94 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R083M1HXKSA1
Infineon Technologies
240:
43,88 kr
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
NRND
Mouser artikelnummer
726-IMZA65R083M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Köp
Min.: 240
Multipla: 240
Detaljer
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
26 A
111 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
104 W
Enhancement