650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency. 

Resultat: 25
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Handelsnamn


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 1 995På lager
Klipp band
90,90 kr
52,88 kr
48,83 kr
45,79 kr
Papprulle
43,54 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 323På lager
90,00 kr
63,11 kr
59,06 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 1 000På lager
Klipp band
60,30 kr
31,84 kr
23,51 kr
23,40 kr
Papprulle
23,40 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 1 009På lager
Klipp band
98,10 kr
54,23 kr
50,85 kr
50,06 kr
Papprulle
48,15 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 861På lager
Klipp band
71,89 kr
45,23 kr
41,40 kr
39,04 kr
Papprulle
38,59 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 753På lager
Klipp band
65,25 kr
38,25 kr
34,88 kr
32,85 kr
Papprulle
31,50 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 1 701På lager
141,41 kr
85,05 kr
83,93 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 298På lager
100,69 kr
57,94 kr
53,66 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 143På lager
Klipp band
176,29 kr
108,90 kr
105,86 kr
Papprulle
103,05 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 654På lager
Klipp band
49,39 kr
25,65 kr
23,29 kr
20,36 kr
Papprulle
19,24 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 314På lager
77,06 kr
44,21 kr
41,18 kr
39,60 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 453På lager
73,24 kr
38,36 kr
35,33 kr
32,63 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 128På lager
90,45 kr
51,98 kr
46,35 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 39På lager
480Förväntad 2026-12-03
104,06 kr
56,59 kr
52,31 kr
51,98 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 13På lager
720Förväntad 2026-11-30
71,44 kr
45,23 kr
42,41 kr
38,81 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 24 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 17På lager
3 600På beställningen
153,90 kr
87,19 kr
86,40 kr
86,29 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 175På lager
142,43 kr
79,99 kr
78,19 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
960Förväntad 2027-01-07
140,18 kr
78,64 kr
75,71 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 58 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Papprulle
70,76 kr
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 63 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Papprulle
59,63 kr
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 54 A 51 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Papprulle
37,58 kr
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 28 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 44 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
113,06 kr
61,99 kr
57,49 kr
57,15 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 46 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
97,65 kr
59,85 kr
49,73 kr
45,56 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
41,29 kr
41,18 kr
Min.: 240
Multipla: 240
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
43,88 kr
38,36 kr
Min.: 240
Multipla: 240
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 26 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement