IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Förpackning
Infineon Technologies MOSFET:er MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
Datablad
14 556På lager
68 641På beställningen
Klipp band
27,80 kr
15,83 kr
12,53 kr
8,68 kr
Papprulle
8,68 kr
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
Datablad
4 507På lager
Klipp band
22,20 kr
11,43 kr
9,74 kr
7,70 kr
Papprulle
6,68 kr
6,55 kr
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 63 mOhms 16 V 2 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
Datablad
32 800Förväntad 2026-12-10
23,96 kr
15,39 kr
10,50 kr
8,89 kr
Granska
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 26.5 mOhms 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement Tube