NTTFSSCH1D3N04XL

onsemi
863-NTTFSSCH1D3N04XL
NTTFSSCH1D3N04XL

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er T10S 40V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om onsemi NTTFSSCH1D3N04XL

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
WDFN-9
N-Channel
1 Channel
40 V
207 A
1.3 mOhms
20 V
2.2 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Märke: onsemi
Konfiguration: Single
Falltid: 4 ns
Transkonduktans framåt - Min: 123 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 5 ns
Serie: NTTFSSCH1D3N04XL
Fabriksförpackningskvantitet: 5000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 43 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 18 ns
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Datablad

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Japan
Monteringsland:
Filippinerna
Distributionsland:
Japan
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET is engineered to handle high currents, which is crucial for DC-DC power conversion stages. This 40V, 207A, single N-channel power MOSFET offers lower on-resistance, increased higher power density, and superior thermal performance. The shield gate trench design provides an ultra-low gate charge and 1.3mΩ RDS(on). The compact 3.3mm x 3.3mm source-down dual cool GEN2 package is lead free, halogen free, BFR free, and RoHS compliant. onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET is designed to provide an efficient solution for data center and cloud applications.

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low RDS(ON), low QG, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

På beställningen:
20 000
Förväntad 2027-11-10
Fabrikens ledtid:
39
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1   Maximalt: 500
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
29,45 kr 29,45 kr
19,01 kr 190,10 kr
13,08 kr 1 308,00 kr
10,58 kr 5 290,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
10,58 kr 52 900,00 kr

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor om en specifik beställning loggar du in på ditt konto.

Om du fortfarande har problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka e-post till help@mouser.com.