IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

Resultat: 13
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge
IXYS SiC-MOSFET:ar 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L 900På lager
Klipp band
125,55 kr
71,10 kr
70,20 kr
66,49 kr
Papprulle
66,49 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET in TO263 894På lager
Klipp band
75,60 kr
51,19 kr
37,35 kr
Papprulle
33,64 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET in TO263-7L 870På lager
Klipp band
86,29 kr
47,14 kr
43,31 kr
40,16 kr
Papprulle
40,16 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET in TO263-7L 900På lager
Klipp band
104,51 kr
58,05 kr
55,24 kr
51,64 kr
Papprulle
51,64 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L 813På lager
Klipp band
115,31 kr
75,94 kr
68,63 kr
62,44 kr
Papprulle
57,15 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL 2 084På lager
Klipp band
125,55 kr
71,10 kr
70,20 kr
65,59 kr
Papprulle
65,59 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET in TOLL 2 095På lager
Klipp band
85,39 kr
46,58 kr
42,75 kr
42,30 kr
40,05 kr
Papprulle
40,05 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET in TOLL 2 090På lager
Klipp band
103,28 kr
57,38 kr
54,34 kr
51,53 kr
Papprulle
51,53 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000
SMD/SMT TTOLL-8 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 520På lager
127,91 kr
72,56 kr
67,28 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar TO247 1200V N CH 20A 542På lager
Klipp band
72,00 kr
38,59 kr
31,50 kr
Papprulle
31,50 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET in TO247-4L HV 550På lager
87,64 kr
47,93 kr
41,51 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET in TO247-4L HV 550På lager
105,30 kr
72,56 kr
52,76 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 537På lager
Klipp band
117,79 kr
76,05 kr
70,54 kr
Papprulle
61,54 kr
58,84 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 450
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement