High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Resultat: 70
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
Handelsnamn
onsemi SiC-MOSFET:ar 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
Datablad
800På lager
800Förväntad 2026-12-21
Klipp band
110,01 kr
77,81 kr
57,70 kr
54,62 kr
Papprulle
54,62 kr
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/9MOSICFETG3TO247
Datablad
366På lager
675,23 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 120 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/40MOSICFETG3TO247-4
Datablad
3 278På lager
187,16 kr
111,99 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/18MOSICFETG4TO263
Datablad
278På lager
Klipp band
231,23 kr
172,65 kr
149,35 kr
133,86 kr
Papprulle
133,86 kr
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Datablad
425På lager
1 000Förväntad 2026-12-28
251,34 kr
201,23 kr
173,97 kr
155,95 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 1 000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO247-4
Datablad
583På lager
120,12 kr
68,47 kr
63,41 kr
61,10 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/80MOSICFETG3TO247-3
Datablad
1 142På lager
200,02 kr
121,99 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/7MOSICFETG3TO247-4
Datablad
445På lager
733,80 kr
630,17 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 120 A 9 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 214 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/16MOSICFETG3TO24
Datablad
466På lager
667,75 kr
549,17 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO247
Datablad
684På lager
114,30 kr
62,86 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/18MOSICFETG4TO247
Datablad
642På lager
129,35 kr
75,83 kr
75,17 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/60MOSICFETG4TO247-4
Datablad
562På lager
131,99 kr
93,52 kr
81,88 kr
69,02 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
Datablad
355På lager
Klipp band
118,80 kr
69,24 kr
63,85 kr
60,45 kr
Papprulle
60,45 kr
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/40MOSICFETG3TO24
Datablad
381På lager
346,51 kr
257,61 kr
244,42 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/40MOSICFETG3TO24
Datablad
227På lager
277,72 kr
207,27 kr
185,73 kr
185,18 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/30MOSICFETG3TO247
Datablad
513På lager
255,30 kr
156,94 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/11MOSICFETG4TO263
Datablad
287På lager
Klipp band
279,59 kr
221,45 kr
206,50 kr
186,72 kr
Papprulle
186,72 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO220-3
Datablad
472På lager
110,78 kr
65,28 kr
60,34 kr
56,27 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/33MOSICFETG4TO263
Datablad
486På lager
Klipp band
143,75 kr
84,18 kr
79,68 kr
Papprulle
79,68 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/44MOSICFETG4TO263
Datablad
648På lager
Klipp band
132,65 kr
75,94 kr
71,87 kr
Papprulle
71,87 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Datablad
902På lager
242,55 kr
155,95 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/40MOSICFETG3TO247-3
Datablad
1 166På lager
144,19 kr
109,35 kr
103,20 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
Datablad
612På lager
278,93 kr
185,18 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO247-3
Datablad
639På lager
118,47 kr
66,60 kr
61,76 kr
59,13 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/60MOSICFETG4TO263
Datablad
1 266På lager
Klipp band
74,40 kr
40,22 kr
39,78 kr
38,36 kr
Papprulle
38,36 kr
33,52 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET