650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.

Resultat: 7
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Förpackning
Toshiba MOSFET:er MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI 7 157På lager
Klipp band
57,81 kr
30,44 kr
28,02 kr
Papprulle
28,02 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI 4 670På lager
Klipp band
47,04 kr
24,29 kr
22,09 kr
19,23 kr
Papprulle
18,13 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 170 mOhms 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI 76På lager
55,06 kr
36,05 kr
26,60 kr
23,52 kr
20,88 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 155 mOhms 30 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET:er MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI 96På lager
50,55 kr
33,08 kr
24,62 kr
20,66 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 190 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET:er MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
59Förväntad 2026-12-25
63,74 kr
39,56 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET:er MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
67,92 kr
37,15 kr
33,96 kr
28,46 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET:er MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Papprulle
15,61 kr
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
: 2 500
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 210 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel