Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low RON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

Resultat: 10
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Kvalificering Handelsnamn Förpackning
Toshiba MOSFET:er LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V 521 491På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er Small Low ON Resistane MOSFET:er 4 933På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 8.9 mOhms 20 V 1.4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
56 678På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si N-Channel 1 Channel AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V 31 627På lager
18 000På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
1 979På lager
3 000Förväntad 2026-09-22
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er Small Signal MOSFET V=30V, I-10A 2 436På lager
69 000Förväntad 2026-12-04
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 20 mOhms - 25 V, 20 V 1 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er Small-signal MOSFET Power MGMT switch 7 595På lager
24 000Förväntad 2026-12-11
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 12 V 14 A 6.5 mOhms 10 V 1 V 47 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
2 124På lager
111 000På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 400 mV 3.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
348 174På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms 20 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er Small Low ON Resistane MOSFET:er
38 183Förväntad 2026-09-28
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 6.5 mOhms 20 V 1.1 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel