Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

NTBL023N065M3S

Name: onsemi NTBL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL023N065M3S
Price: 144.05 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NTBL023N065M3S

Tillverk: Nr.:

NTBL023N065M3S

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

NTBL023N065M3S Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NTBL023N065M3S

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	H-PSOF-8
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	77 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	32.6 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 22.6 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	69 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	312 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	9.6 ns
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	15 ns
Serie:	NTBL023N065M3S
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Transistors
Transistorns polaritet:	N-Channel
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	35 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	11 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NTBL023N065M3S Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-21 (PDF)

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Filippinerna
Monteringsland:: Filippinerna
Distributionsland:: Korea

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed for demanding power applications. The onsemi NTBL023N065M3S MOSFETs feature a typical R_DS(on) of 23mΩ at V_GS = 18V, ultra-low gate charge (Q_G(tot) = 69nC), and high-speed switching with low capacitance (C_oss = 152pF). Fully tested for avalanche performance, the MOSFETs are halide-free, RoHS-compliant with Exemption 7a, and Pb-free at the second-level interconnection. Ideal for applications like Switching Mode Power Supplies (SMPS), solar inverters, Uninterruptable Power Supplies (UPS), energy storage systems, and infrastructure, these SiC MOSFETs provide robust performance for modern power management needs.

PRESENTERADE PRODUKTER

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

Läs mer

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

Läs mer

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

Läs mer

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

Läs mer

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

Läs mer

På lager: 1 697

Lager:: 1 697 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 53 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1 Maximalt: 170

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	144,05 kr	144,05 kr
	101,76 kr	1 017,60 kr
	87,56 kr	8 756,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
	87,56 kr	175 120,00 kr

NTBL023N065M3S

Tillverk: onsemi

Beskrivning: SiC-MOSFET:ar SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

Specifikationer

Dokument (2)

Datablad

PCN

Produkt- och köpvillkor

Mer information

NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Andra kunder köpte också

PRESENTERADE PRODUKTER ONSEMI

På lager: 1 697

Prissättning (SEK)

Snabbvy

Ett oväntat fel har inträffat.

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

PRESENTERADE PRODUKTER

ONSEMI