QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors are 220W discrete GaN-on-SiC HEMTs that operate from 1.2GHz to 1.4GHz, providing typically 53.5dBm of saturated output power with 17dB of large-signal gain and 70% drain efficiency.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Id - Kontinuerlig dräneringsström Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Maximal driftsfrekvens Minsta driftfrekvens Teknologi
Qorvo GaN FET 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10Förväntad 2026-11-26
6 141,65 kr
5 314,98 kr
5 108,26 kr
Min.: 1
Multipla: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC
Qorvo GaN FET 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10Förväntad 2026-11-26
6 141,65 kr
5 314,98 kr
5 108,26 kr
Min.: 1
Multipla: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC