UJ3C SiC FETs

onsemi UJ3C SiC FETs are Silicon Carbide (SiC) FETs are based on a unique cascode configuration and optimized for soft-switching designs. The UJ3C SiC FETs are ideal for upgrading an existing silicon-based device or starting a SiC-based design. These devices integrate a SiC JFET with a custom-designed Si-MOSFET to produce the ideal combination of normally-OFF operation, high-performance body diode, and easy gate drive of the MOSFET with the efficiency, speed, and high-temperature rating of the SiC JFET. As a result, existing systems can expect a performance increase with lower conduction and switching losses, enhanced thermal properties, and integrated gate ESD protection. 

Resultat: 10
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Kvalificering Handelsnamn
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/30MOSICFETG3TO220 352På lager
1 000Förväntad 2026-12-28
251,34 kr
201,23 kr
173,97 kr
155,95 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 1 000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/30MOSICFETG3TO247-3 513På lager
252,88 kr
156,94 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO247-3 699På lager
114,30 kr
62,86 kr
62,75 kr
59,13 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/40MOSICFETG3TO24 382På lager
346,51 kr
257,61 kr
244,42 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/70MOSICFETG3TO24 590På lager
195,07 kr
124,30 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/70MOSICFETG3TO24 1 300På lager
198,81 kr
121,11 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO220-3 359På lager
4 000På beställningen
104,51 kr
72,86 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 1 000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/80MOSICFETG3TO24 381På lager
200,13 kr
122,10 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/150MOSICFETG3TO2 20På lager
131,44 kr
100,23 kr
83,41 kr
74,40 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO263-3 160På lager
Klipp band
108,36 kr
78,47 kr
65,28 kr
58,25 kr
Papprulle
54,40 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET