A5Gx Airfast RF Power GaN-transistorer

NXP halvledare   A5Gx Airfast RF Power GaN-transistorer är 85 W och 112 W asymmetriska Doherty RF power GaN-transistorer. NXP halvledarna  A5Gx-transistorer är perfekta för mobila basstationer som behöver breda bandbredder. Enheternas prestanda garanteras inom intervallet för den angivna frekvensen för varje del, men inte utanför den.

Resultat: 6
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Maximal driftsfrekvens
Minsta driftfrekvens
Teknologi

NXP Semiconductors GaN FET Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
Datablad
35På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 250

1.995 GHz 1.93 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN FET Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
Datablad
208På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 2.2 GHz 2.11 GHz GaN-on-Si

NXP Semiconductors GaN FET Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
Datablad
19På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 850 MHz 717 MHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN FET Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
Datablad
5På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 1.88 GHz 1.805 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN FET Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
Datablad
2På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 2.69 GHz 2.496 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN FET Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 53 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 960 MHz 865 MHz GaN-on-Si