GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge
SemiQ SiC-MOSFET:ar 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET 25På lager
123,41 kr
89,33 kr
74,25 kr
66,26 kr
61,88 kr
Min.: 1
Multipla: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L 13På lager
153,79 kr
104,63 kr
86,51 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
60Förväntad 2026-11-13
153,68 kr
86,96 kr
86,29 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement