LMG341xR150 GaN-FET

Texas Instruments LMG341xR150 GaN FET med integrerad drivkrets och skydd gör det möjligt för konstruktörer att uppnå nya effektdensitetsnivåer och effektivitet i strömelektroniksystem. LMG341xR150 GaN-FET har extremt låg kapacitans på in- och utgångar, noll omvänd återhämtning för att minska switchförluster med så mycket som 80 %, och låg signalnodring för att minska EMI. Funktionerna möjliggör täta och effektiva topologier som totem-pole PFC.