Resultat: 6
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Maximal driftsfrekvens
Minsta driftfrekvens
Teknologi
MACOM GaN FET Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C
Datablad
50På lager
Min.: 10
Multipla: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 1.5 A 440 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C GaN, SiC
MACOM GaN FET Die, DC - 6 GHz, 30W, G28V5-1C
Datablad
50På lager
Min.: 10
Multipla: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 3 A 220 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C GaN, SiC
MACOM GaN FET Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C
Datablad
50På lager
Min.: 10
Multipla: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 4.5 A 110 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C 6 GHz 0 Hz GaN, SiC
MACOM GaN FET Die, DC - 8 GHz, 5W, G28V5-1C
Datablad
40På lager
Min.: 10
Multipla: 10
1 Channel 84 V 750 mA 740 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C 8 GHz 0 Hz GaN, SiC
MACOM GaN FET Die, DC - 4 GHz, 120W, G28V5-1C
Datablad
SMD/SMT 1 Channel 84 V 6 A 60 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C 4 GHz 0 Hz GaN, SiC
MACOM GaN FET Die, DC - 4 GHz, 60W, G28V5-1C
Datablad
SMD/SMT 1 Channel 84 V 6 A 110 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C 4 GHz 0 Hz GaN, SiC