Automotive U-MOSX-H MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSX-H MOSFETs are AEC-Q101 qualified with low drain-source on-resistance. These devices feature a low leakage current of IDSS = 10µA (max) (VDS = 100V). The Toshiba Automotive U-MOSX-H MOSFETs are ideal for automotive, switching voltage, regulators, DC-DC converters, and motor drivers.

Resultat: 4
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
Förpackning
Toshiba MOSFET:er POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=132W F=1MHZ
Datablad
3 500På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 80 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 63 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-ADVANCE(E) PD=250W F=1MHZ
Datablad
2 756På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 238 A 1.9 mOhms 20 V 3.5 V 108 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET:er 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Datablad
Produktkommenterarer
1 202På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 1.92 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 184 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET:er 80V 2.55mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(WF)
Datablad
5 000Förväntad 2026-11-16
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.55 mOhms 20 V 3.5 V 95 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel