|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R008M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
365,20 kr
-
1 590På lager
-
1 000På beställningen
|
Mouser artikelnummer
726-IMBG120R008M2HXT
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
1 590På lager
1 000På beställningen
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
1 000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
189 A
|
7.7 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
195 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
800 W
|
Enhancement
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R012M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
262,55 kr
-
2 011På lager
|
Mouser artikelnummer
726-IMBG120R012M2HXT
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
2 011På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
1 000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
144 A
|
12.2 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
124 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
600 W
|
Enhancement
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R022M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
168,37 kr
-
245På lager
|
Mouser artikelnummer
726-IMBG120R022M2HXT
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
245På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
1 000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
87 A
|
21.6 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
71 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
385 W
|
Enhancement
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
127,92 kr
-
1 603På lager
|
Mouser artikelnummer
726-IMBG120R026M2HXT
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
1 603På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
1 000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
75 A
|
25.4 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
60 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
335 W
|
Enhancement
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R053M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
88,69 kr
-
502På lager
-
1 000Förväntad 2027-05-06
|
Mouser artikelnummer
726-IMBG120R053M2HXT
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
502På lager
1 000Förväntad 2027-05-06
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
1 000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
41 A
|
52.6 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
30 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
205 W
|
Enhancement
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R234M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
49,78 kr
-
3 615På lager
|
Mouser artikelnummer
726-IMBG120R234M2HXT
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
3 615På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 1 000
:
1 000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
8.1 A
|
233.9 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
7.9 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
80 W
|
Enhancement
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
107,81 kr
-
79På lager
-
1 000Förväntad 2026-12-31
|
Mouser artikelnummer
726-IMBG120R040M2HXT
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
79På lager
1 000Förväntad 2026-12-31
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
1 000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
52 A
|
39.6 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
8.1 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
250 W
|
Enhancement
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R078M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
77,59 kr
-
39På lager
-
2 000Förväntad 2027-07-08
|
Mouser artikelnummer
726-IMBG120R078M2HXT
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
39På lager
2 000Förväntad 2027-07-08
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
1 000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
29 A
|
78.1 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
20.6 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
158 W
|
Enhancement
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R181M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
61,10 kr
-
198På lager
-
4 000På beställningen
|
Mouser artikelnummer
726-IMBG120R181M2HXT
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
198På lager
4 000På beställningen
Lager:
198 Kan skickas omedelbart
På beställningen:
2 000 Förväntad 2027-05-13
2 000 Förväntad 2027-08-12
Fabrikens ledtid:
52 Veckor
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
1 000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
14.9 A
|
181.4 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
9.7 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
94 W
|
Enhancement
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R017M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
192,11 kr
-
1 999Förväntad 2026-11-19
|
Mouser artikelnummer
726-IMBG120R017M2HXT
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
1 999Förväntad 2026-11-19
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
1 000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
107 A
|
17.1 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
89 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
470 W
|
Enhancement
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R116M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
67,48 kr
-
2 000Förväntad 2026-12-03
|
Mouser artikelnummer
726-IMBG120R116M2HXT
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
2 000Förväntad 2026-12-03
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
1 000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
21.2 A
|
115.7 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
14.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
123 W
|
Enhancement
|
|