Resultat: 11
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1 590På lager
1 000På beställningen
Klipp band
365,20 kr
298,05 kr
263,32 kr
261,78 kr
Papprulle
245,85 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 2 011På lager
Klipp band
262,55 kr
181,34 kr
180,90 kr
171,00 kr
Papprulle
159,57 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 245På lager
Klipp band
168,37 kr
128,25 kr
106,93 kr
95,28 kr
Papprulle
88,91 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1 603På lager
Klipp band
127,92 kr
78,03 kr
76,60 kr
Papprulle
72,86 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 502På lager
1 000Förväntad 2027-05-06
Klipp band
88,69 kr
60,55 kr
49,89 kr
44,51 kr
Papprulle
41,65 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 3 615På lager
Klipp band
49,78 kr
25,94 kr
23,52 kr
20,77 kr
Papprulle
20,66 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 1 000
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 79På lager
1 000Förväntad 2026-12-31
Klipp band
107,81 kr
76,27 kr
63,52 kr
56,60 kr
Papprulle
52,97 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 39På lager
2 000Förväntad 2027-07-08
Klipp band
77,59 kr
54,62 kr
44,18 kr
39,34 kr
Papprulle
34,73 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 198På lager
4 000På beställningen
Klipp band
61,10 kr
40,00 kr
29,45 kr
26,16 kr
Papprulle
23,19 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
1 999Förväntad 2026-11-19
Klipp band
192,11 kr
143,42 kr
124,08 kr
117,48 kr
Papprulle
109,68 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2 000Förväntad 2026-12-03
Klipp band
67,48 kr
45,17 kr
36,27 kr
32,20 kr
Papprulle
28,57 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement