950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

Resultat: 10
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Förpackning
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW 782På lager
145,80 kr
82,01 kr
80,55 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 74.7 A 60 mOhms 30 V 3.5 V 315 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW 1 835På lager
Klipp band
40,05 kr
20,36 kr
18,45 kr
15,41 kr
Papprulle
14,51 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW 712På lager
33,98 kr
16,99 kr
15,41 kr
12,38 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW 613På lager
68,63 kr
38,81 kr
35,66 kr
32,96 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW 1 189På lager
2 000Förväntad 2026-11-30
Klipp band
72,90 kr
39,15 kr
35,89 kr
34,31 kr
Papprulle
32,40 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW 1 132På lager
Klipp band
35,66 kr
18,00 kr
16,20 kr
13,28 kr
Papprulle
12,38 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW 3 695På lager
40,39 kr
20,03 kr
18,23 kr
15,08 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW 49På lager
500På beställningen
72,90 kr
39,04 kr
35,78 kr
32,40 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 13.9 A 130 mOhms 30 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW 644På lager
Klipp band
31,73 kr
15,86 kr
14,29 kr
11,59 kr
11,36 kr
Papprulle
10,54 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW 379På lager
40,05 kr
20,36 kr
18,45 kr
14,96 kr
14,85 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8.7 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 155 C 31 W Enhancement Tube