STP65N045M9

STMicroelectronics
511-STP65N045M9
STP65N045M9

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
Komplettera din design

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om STMicroelectronics STP65N045M9

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
45 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
245 W
Enhancement
Tube
Märke: STMicroelectronics
Produkttyp: MOSFETs
Serie: MDmesh M9
Fabriksförpackningskvantitet: 1000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Italien
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.

STP65N045M9 MDmesh M9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9 Power MOSFET is designed for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The device implements innovative super-junction MDmesh M9 technology offering a multi-drain manufacturing process that allows for an enhanced device structure.

På lager: 339

Lager:
339
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
1 000
Förväntad 2027-03-05
Fabrikens ledtid:
24
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
83,30 kr 83,30 kr
45,39 kr 453,90 kr
41,76 kr 4 176,00 kr
39,45 kr 19 725,00 kr
39,01 kr 39 010,00 kr

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.