|
|
SiC-MOSFET:ar SIC_DISCRETE
- AIMW120R045M1XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
207,60 kr
-
724På lager
-
NRND
|
Mouser artikelnummer
726-AIMW120R045M1XKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar SIC_DISCRETE
|
|
724På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
52 A
|
59 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.7 V
|
57 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
228 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
86,49 kr
-
309På lager
-
NRND
|
Mouser artikelnummer
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
309På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
650 V
|
39 A
|
64 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
33 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
135,95 kr
-
1 731På lager
-
NRND
|
Mouser artikelnummer
726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 731På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
650 V
|
47 A
|
34 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
62 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
189 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
50,44 kr
-
14På lager
-
25 000På beställningen
|
Mouser artikelnummer
726-IMBF170R1K0M1XTM
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
14På lager
25 000På beställningen
Lager:
14 Kan skickas omedelbart
På beställningen:
2 000 Förväntad 2027-01-07
Fabrikens ledtid:
60 Veckor
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
1 000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.7 kV
|
5.2 A
|
1 Ohms
|
- 10 V, + 20 V
|
4.5 V
|
5 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
68 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R140M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
76,38 kr
-
18På lager
-
720På beställningen
-
NRND
|
Mouser artikelnummer
726-IMW120R140M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
18På lager
720På beställningen
Lager:
18 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
53 Veckor
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
19 A
|
182 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
3.5 V
|
13 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
94 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
152,87 kr
-
2 160På beställningen
-
NRND
|
Mouser artikelnummer
726-IMZ120R030M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
2 160På beställningen
Fabrikens ledtid:
52 Veckor
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
56 A
|
40 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.7 V
|
63 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
227 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
240:
40,33 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 53 Veckor
-
NRND
|
Mouser artikelnummer
726-IMZA65R072M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
Ledtid för icke lagerfört 53 Veckor
|
|
Min.: 240
Multipla: 240
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
650 V
|
28 A
|
94 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
22 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
96 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|