Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

QPD0020TR7

Name: Qorvo QPD0020TR7
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0020TR7
Price: 685.93 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

772-QPD0020TR7

Tillverk: Nr.:

QPD0020TR7

Tillverk:

Qorvo

Beskrivning:

GaN FET DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

Datablad:

QPD0020TR7 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Qorvo QPD0020TR7

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Qorvo
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	QFN-20
Märke:	Qorvo
Konfiguration:	Single
Utvecklingskit:	QPD0020EVB02
Förstärkning:	16.7 dB
Maximal driftsfrekvens:	2.69 GHz
Minsta driftfrekvens:	2.62 GHz
Utgångseffekt:	34.7 W
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkttyp:	GaN FETs
Serie:	QPD0020
Fabriksförpackningskvantitet:	500
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	HEMT
Del # Alias:	QPD0020

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

QPD0020TR7 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: USA
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

QPD0020 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD0020 GaN RF Power Transistors are 35W unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6GHz on a +48V supply rail. The devices are suited for base station, radar, and communications applications. The transistors support CW and pulsed mode of operations. The QPD0020 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for small cell, microcell, and active antenna systems. The QPD0020 can also be used as a driver in a macrocell base station power amplifier.

PRESENTERADE PRODUKTER

QORVO

QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT

Designed for demanding L‑Band applications, operating across the 1.0GHz to 1.5GHz frequency range.

Läs mer

QPD1014A GaN Input Matched Transistors

15W (P_3dB), 50Ω input matched discrete GaN-on-SiC HEMTs operating from 30MHz to 1.2GHz.

Läs mer

QPD1011A GaN Input Matched Transistors

7W (P_3dB), 50Ω input matched discrete GaN-on-SiC HEMTs operating from 30MHz to 1.2GHz.

Läs mer

QPD1004A GaN Input Matched Transistors

25W, 50Ω input matched discrete GaN on SiC HEMT operates from 30MHz to 1400MHz on a 50V supply rail.

Läs mer

QPD1035 GaN RF Power Transistors

40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply.

Läs mer

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 500

Förväntad 2026-08-18
Fabrikens ledtid:: 20

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	685,93 kr	685,93 kr
	566,57 kr	5 665,70 kr
	536,78 kr	13 419,50 kr
	530,00 kr	53 000,00 kr
	529,89 kr	132 472,50 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 500)
	507,85 kr	253 925,00 kr

QPD0020TR7

Tillverk: Qorvo

Beskrivning: GaN FET DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

Specifikationer

Dokument (1)

Datablad

Miljödokument

Produkt- och köpvillkor

Mer information

QPD0020 GaN RF Power Transistors

PRESENTERADE PRODUKTER QORVO

Tillgänglighet

Prissättning (SEK)

Snabbvy

Ett oväntat fel har inträffat.

Tillverk:

Qorvo

Beskrivning:

GaN FET DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

PRESENTERADE PRODUKTER

QORVO