STDRIVEG211Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG211Q
STDRIVEG211Q

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
Komplettera din design

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om STMicroelectronics STDRIVEG211Q

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1 A, 2.4 A
3.3 V
20 V
Inverting
22 ns
11 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
Märke: STMicroelectronics
Utvecklingskit: EVLSTDRIVEG611
Fuktkänsliga: Yes
Arbetsström: 1.02 nA
Utgångsspänning: 220 V
Produkttyp: Gate Drivers
Utbredningsförsening - Max: 60 ns
Rds på - Dräneringskällans resistans: 7 Ohms
Avstängning: Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet: 490
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: GaN
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Thailand
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers are designed for N‑channel enhancement mode GaN, and the high-side driver section can withstand a voltage rail up to 220V. These drivers feature high current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs. This makes them optimized for driving high-speed GaN. The STDRIVEG211 half-bridge gate drivers feature supply UVLOs tailored to hard switching applications, interlocking to avoid cross-conduction conditions, and an overcurrent comparator with SmartSD. These drivers offer an extended range for input pins that allows easy interfacing with controllers. A standby pin allows for reducing the power consumption during inactive periods or burst mode. Applications include solar micro inverters, Class D audio amplifiers, E-bikes, LED lighting, USB-C, power tools, and robotics.

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.

På lager: 654

Lager:
654 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
52 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
28,80 kr 28,80 kr
21,60 kr 216,00 kr
19,80 kr 495,00 kr
17,78 kr 1 778,00 kr
16,88 kr 4 220,00 kr
16,20 kr 7 938,00 kr
15,64 kr 15 327,20 kr
14,85 kr 43 659,00 kr

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor om en specifik beställning loggar du in på ditt konto.

Om du fortfarande har problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka e-post till help@mouser.com.