Hoppa till huvudinnehåll

+46 8 590 88 715

En del av TTI:s familj av specialister Kontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715 Feedback

Ändra land

På lager

RoHS

Logga in
Ny kund? Börja här
Logga in
Ny kund? Börja här

Beställningshistorik

Tillverk:	Tillverk: Nr.:	Mängd	Totalsumma

Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

GTRB266502FC-V1-R2

MACOM

Mouser nr:

941-GTRB266502FCV1R2

Tillverk: Nr.:

GTRB266502FC-V1-R2

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

GaN FET 630W,48V,2620-2690MHz,GaN HEMT (250pcs)

Livscykel:

Specialbeställning från fabrik:

Få ett anbud för att bekräfta tillverkarens aktuella pris, leveranstid och beställningsvillkor.

Datablad:

GTRB266502FC-V1-R2 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Teknologi:	GaN
Märke:	MACOM
Fuktkänsliga:	Yes
Förpackning:	Reel
Produkttyp:	GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet:	250
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	GaN HEMT

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

GTRB266502FC-V1-R2 Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: USA
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

PRESENTERADE PRODUKTER

MACOM

GaN on SiC Transistors

Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

Offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities.

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor

400W HPA matched to 50Ω at both input and output ports., 2.75GHz to 3.75GHz frequency.

5 G RF JFET och LDMOS FET

Termiskt förbättrade transistorer med hög effekt för nästa generations trådlösa överföring.

GTVA High Power RF GaN on SiC HEMTs

50V RF transistors featuring input matching, high efficiency, and thermally enhanced packages.

Tillgänglighet

Lager:: Ej i lager, ring för att begära en offert

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.