AS3008316-035nX0PTBY

Name: Avalanche Technology AS3008316-035nX0PTBY
Brand: Avalanche Technology
SKU: 793-38316035NX0PTBY
Price: 297.79 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

793-38316035NX0PTBY

Tillverk: Nr.:

AS3008316-035nX0PTBY

Tillverk:

Avalanche Technology

Beskrivning:

MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

Datablad:

AS3008316-035nX0PTBY Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Avalanche Technology AS3008316-035nX0PTBY

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: Begär kostnadsberäkning för leverans

Ange kvantitet:

Minst: 1056 Flera: 96

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	297,79 kr	314.466,24 kr
2 592	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Avalanche Technology
Produktkategori:	MRAM
RoHS-direktivet:
Paket/låda:	TSOP-54
Gränssnittstyp:	Parallel
Minnesstorlek:	8 Mbit
Organisation:	512 k x 16
Databussbredd:	16 bit
Åtkomsttid:	35 ns
Minimal matningsspänning:	2.7 V
Maximal matningsspänning:	3.6 V
Arbetsström:	12 mA
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 105 C
Serie:	AS3008316
Förpackning:	Tray
Märke:	Avalanche Technology
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Produkttyp:	MRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	96
Handelsnamn:	STT-MRAM, MRAM

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

AS3008316-035nX0PTBY Datablad (PDF)

USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

Parallel P-SRAM Memory

Avalanche Technology Parallel Persistent SRAM Memory are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 32Mbit. The P-SRAM memory operates from 2.7V to 3.6V voltage range. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 54-pin TSOP, 44-pin TSOP, and 48-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The parallel persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.