18 bit Minnes IC:er

Typer av Minnes IC:er

Ändra kategorivy
Resultat: 37
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS Produkttyp Monteringsstil Paket/låda Minnesstorlek Organisation Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Förpackning
Texas Instruments FIFO 2048 x 18 Synch FIFO Memory Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 160
Multipla: 160

FIFO SMD/SMT TQFP-64 36 kbit 2 k x 18 0 C + 70 C Tray
Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

FIFO SMD/SMT TQFP-64 72 kbit 4 k x 18 0 C + 70 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit 16 M x 18 - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit 16 M x 18 - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 - 40 C + 95 C Tray
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 50
Multipla: 1
Nej
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit 256 k x 18 0 C + 70 C Tray
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO Ledtid 18 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Nej
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit 256 k x 18 - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 104
Multipla: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 0 C + 95 C
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 104
Multipla: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 0 C + 95 C Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 104
Multipla: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 0 C + 95 C
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 104
Multipla: 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 0 C + 95 C Bulk