Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

GRF0030

Name: Guerrilla RF GRF0030
Brand: Guerrilla RF
SKU: 459-GRF0030
Price: 796.03 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

459-GRF0030

Tillverk: Nr.:

GRF0030

Tillverk:

Guerrilla RF

Beskrivning:

RF-förstärkare Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 50W PSAT at 50V or 25W PSAT at 28V

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Guerrilla RF GRF0030

På lager: 35

Lager:: 35 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	796,03 kr	796,03 kr
	683,65 kr	6.836,50 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)
	611,38 kr	30.569,00 kr
	594,27 kr	59.427,00 kr
250	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Guerrilla RF
Produktkategori:	RF-förstärkare
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Guerrilla RF
Produkttyp:	RF Amplifier
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Wireless & RF Integrated Circuits

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Videos

TARIC:: 8542330000
USHTS:: 8542330001

GRFx GaN HEMT Power Transistors

Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors are unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications. These transistors operate across a wide frequency range of DC to 6GHz, 7GHz, and 8GHz with an operating drain voltage of 28V and 50V. The GRFx transistors support both linear and pulsed modes and are 100% DC, and RF production tested. These transistors are housed in a compact, industry-standard 3mm x 3mm QFN-16 surface mount package, are lead-free, and RoHS compliant. Typical applications include cellular infrastructure, radar systems, communications, and test instrumentation.