Vishay SiC-MOSFET:ar

Resultat: 18
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Handelsnamn
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL (SIC) MOSFET 2 313På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.69 V 47.3 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Förväntad 2026-06-25
Min.: 1
Multipla: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Förväntad 2026-06-18
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Förväntad 2026-06-18
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Förväntad 2026-11-20
Min.: 1
Multipla: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Förväntad 2026-11-20
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Förväntad 2026-11-20
Min.: 1
Multipla: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Förväntad 2026-11-20
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Förväntad 2026-06-25
Min.: 1
Multipla: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Förväntad 2026-06-25
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Förväntad 2026-09-17
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Förväntad 2026-09-17
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET Ledtid för icke lagerfört 57 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 212 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET Ledtid för icke lagerfört 57 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET Ledtid för icke lagerfört 57 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET Ledtid för icke lagerfört 57 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.69 V 47.3 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET Ledtid för icke lagerfört 57 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC-MOSFET:ar 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC