.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SiC-MOSFET:ar

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 59

Tillämpade filter:

Märke = Flera värden

Monteringsstil

Paket/låda

Antal kanaler

Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Vgs - Gate-källans spänning

Vgs th - Gate-källans tröskelspänning

Qg - Gate-laddning

Minsta drifttemperatur

Maximal drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Kanalläge

Kvalificering

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Artikelnummer

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

SCTHC250N120G3AG
STMicroelectronics
1: 725,78 kr
32På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCTHC250N120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCTHC250N120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

Datablad

32På lager

725,78 kr

599,72 kr

547,85 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

STPAK-4

1 Channel

1.2 kV

239 A

8.5 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

304 nC

- 55 C

+ 200 C

994 W

AEC-Q100

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
1: 171,99 kr
2 309På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCTL35N65G2V

Mouser artikelnummer
511-SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

Läs mer

Datablad

2 309På lager

Klipp band

171,99 kr

122,10 kr

106,27 kr

100,56 kr

Papprulle

100,56 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

1 Channel

650 V

40 A

67 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 209,03 kr
7På lager
600Förväntad 2027-02-05
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT019HU120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT019HU120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

Läs mer

Datablad

7På lager

600Förväntad 2027-02-05

Klipp band

209,03 kr

149,79 kr

131,88 kr

Papprulle

121,11 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

AEC-Q100

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: 209,80 kr
630På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT012W90G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT012W90G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

630På lager

209,80 kr

129,68 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-3

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 243,54 kr
540På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT015W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

540På lager

243,54 kr

156,83 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 176,50 kr
448På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT018W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Datablad

448På lager

176,50 kr

114,74 kr

106,82 kr

94,62 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 191,23 kr
256På lager
600På beställningen

Tillverk: Artikelnummer
SCT020W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

256På lager

600På beställningen

191,23 kr

115,07 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

Hip247-4

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: 179,14 kr
250På lager
600Förväntad 2027-03-12

Tillverk: Artikelnummer
SCT025W120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

Läs mer

Datablad

250På lager

600Förväntad 2027-03-12

179,14 kr

111,44 kr

104,51 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-3

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 128,58 kr
599På lager
1 000Förväntad 2027-04-23

Tillverk: Artikelnummer
SCT027H65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

599På lager

1 000Förväntad 2027-04-23

Klipp band

128,58 kr

73,19 kr

72,97 kr

Papprulle

69,02 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 133,64 kr
246På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT027W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

Läs mer

Datablad

246På lager

133,64 kr

89,46 kr

82,97 kr

70,56 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

51 nC

- 55 C

+ 200 C

313 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 109,90 kr
487På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W65G3-4

Mouser artikelnummer
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

487På lager

109,90 kr

60,23 kr

56,16 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 126,82 kr
481På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

481På lager

126,82 kr

84,73 kr

78,69 kr

67,81 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 86,49 kr
1 404På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT055TO65G3

Mouser artikelnummer
511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

Läs mer

Datablad

1 404På lager

Klipp band

86,49 kr

47,37 kr

44,29 kr

40,99 kr

Papprulle

40,99 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 156,61 kr
22På lager
1 000Förväntad 2027-01-29

Tillverk: Artikelnummer
SCT018H65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

22På lager

1 000Förväntad 2027-01-29

Klipp band

156,61 kr

94,18 kr

Papprulle

89,02 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 199,47 kr
13På lager
1 200På beställningen

Tillverk: Artikelnummer
SCT025W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

13På lager

1 200På beställningen

199,47 kr

137,59 kr

125,62 kr

115,50 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 132,98 kr
112På lager
600Förväntad 2026-09-07

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

Läs mer

Datablad

112På lager

600Förväntad 2026-09-07

132,98 kr

90,67 kr

79,35 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: 131,33 kr
36På lager
600Förväntad 2027-05-07

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

Läs mer

Datablad

36På lager

600Förväntad 2027-05-07

131,33 kr

92,21 kr

70,45 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-3

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 142,65 kr
35På lager
1 200Förväntad 2027-01-29

Tillverk: Artikelnummer
SCT070W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

35På lager

1 200Förväntad 2027-01-29

142,65 kr

107,04 kr

67,59 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 114,41 kr
730På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040H65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Läs mer

Datablad

730På lager

Klipp band

114,41 kr

64,40 kr

62,64 kr

Papprulle

59,24 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: 161,66 kr
334På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT20N120AG

Mouser artikelnummer
511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

Läs mer

Datablad

334På lager

161,66 kr

114,63 kr

85,39 kr

76,60 kr

Beräkning

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

1 Channel

1.2 kV

20 A

239 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 200 C

175 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL90N65G2V
STMicroelectronics
1: 294,86 kr
1 301På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCTL90N65G2V

Mouser artikelnummer
511-SCTL90N65G2V

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

Läs mer

Datablad

1 301På lager

Klipp band

294,86 kr

210,90 kr

199,69 kr

Papprulle

199,69 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

1 Channel

650 V

40 A

18 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 215,07 kr
5På lager
1 200Förväntad 2027-02-19
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT020HU120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT020HU120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

5På lager

1 200Förväntad 2027-02-19

Klipp band

215,07 kr

160,67 kr

138,91 kr

Papprulle

131,55 kr

Beräkning

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 96,93 kr
14På lager
1 800Förväntad 2027-02-05

Tillverk: Artikelnummer
SCT040TO65G3

Mouser artikelnummer
511-SCT040TO65G3

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Läs mer

Datablad

14På lager

1 800Förväntad 2027-02-05

Klipp band

96,93 kr

68,25 kr

50,66 kr

47,26 kr

Papprulle

47,26 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 129,24 kr
5På lager
600Förväntad 2027-04-16

Tillverk: Artikelnummer
SCT055W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Läs mer

Datablad

5På lager

600Förväntad 2027-04-16

129,24 kr

96,71 kr

88,47 kr

76,60 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
1: 127,92 kr
14På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT070H120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT070H120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

14På lager

Klipp band

127,92 kr

74,29 kr

69,24 kr

Papprulle

65,61 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar

Kundtjänstkontor

Företag

Resurser

Support

8.5 mOhms
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms
67 mOhms
72 mOhms
87 mOhms
100 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
73 nC
76 nC
77 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W
398 W