Resultat: 7
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Produkt Konfiguration Kollektor- Emitterspänning VCEO Max. Kollektor - Sändarens mättnadsspänning Kontinuerlig kollektorström vid 25 C Gate-sändarens läckström Paket/låda Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Förpackning
Infineon Technologies IGBT-moduler 1700 V, 600 A dual IGBT module 24På lager
8Förväntad 2026-04-16
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PEHPSA1
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 800 A dual IGBT module 32På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PHPSA1
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 800 A dual IGBT module 32På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 450 A dual IGBT module
32Förväntad 2026-04-16
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
32Förväntad 2026-04-02
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 600 A dual IGBT module
32Förväntad 2026-04-16
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 62 mm C-Series module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode
30På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA Module - 40 C + 175 C Tray