DDB6U50N16W1RPB11BPSA1

Infineon Technologies
726-DB6U50N16W1RPB11
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1

Tillverk:

Beskrivning:
Diodmoduler 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 22

Lager:
22 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 22 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
318,50 kr 318,50 kr
237,18 kr 2 371,80 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: Diodmoduler
RoHS-direktivet:  
Screw Mount
1.6 kV
1.61 V
- 40 C
+ 150 C
Tray
Märke: Infineon Technologies
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: HU
Produkt: Schottky Diode Modules - SBD
Produkttyp: Diode Modules
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: Discrete and Power Modules
Teknologi: SiC
Del # Alias: DDB6U50N16W1RP_B11 SP005613027
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

1200V CoolSiC™ Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.